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  • Toshiba Semiconductor and Storage - RN2905FE,LF(CB - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

    型号:RN2905FE,LF(CB
    仓库库存编号:RN2905FELF(CBTR-ND
    别名:RN2905FE(TE85L,F)
    RN2905FE(TE85LF)TR
    RN2905FE(TE85LF)TR-ND
    RN2905FE,LF(CT
    RN2905FELF(CBTR
    RN2905FELF(CTTR
    RN2905FELF(CTTR-ND

    产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,

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  • Rohm Semiconductor - UMA11NTR - TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
  • Rohm Semiconductor
    TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5

    型号:UMA11NTR
    仓库库存编号:UMA11NTR-ND

    产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,
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  • Rohm Semiconductor - EMB10T2R - TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
  • Rohm Semiconductor
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

    型号:EMB10T2R
    仓库库存编号:EMB10T2RTR-ND
    别名:EMB10T2R-ND
    EMB10T2RTR

    产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,

  • 无铅
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  • Rohm Semiconductor - EML20T2R - TRANS PREBIAS NPN 0.15W
  • Rohm Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

    型号:EML20T2R
    仓库库存编号:EML20T2R-ND

    产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,

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  • Diodes Incorporated - MMBT5551-7 - TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
  • Diodes Incorporated
    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

    详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3

    型号:MMBT5551-7
    仓库库存编号:MMBT5551-7DICT-ND
    别名:MMBT5551-7DICT
    MMBT5551CT
    MMBT5551CT-ND
    MMBT5551DICT
    MMBT5551DICT-ND

    产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V,

  • 含铅
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  • Diodes Incorporated - MMDT5551-7 - TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
  • Diodes Incorporated
    TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

    详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363

    型号:MMDT5551-7
    仓库库存编号:MMDT5551DICT-ND
    别名:MMDT5551
    MMDT55517
    MMDT5551CT
    MMDT5551CT-ND
    MMDT5551DICT

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