产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2111CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2111CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2111CT(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2112CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2112CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2112CT(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2113CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2113CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2113CT(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号:
JANTX2N2920L
仓库库存编号:
1086-20774-ND
别名:1086-20774
1086-20774-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 6-SMD
型号:
JANTXV2N2920U
仓库库存编号:
1086-20777-ND
别名:1086-20777
1086-20777-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2PNP 60V 0.05A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号:
JAN2N3811U
仓库库存编号:
1086-20921-ND
别名:1086-20921
1086-20921-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 60MHz 1.5W Through Hole TO-78-6
型号:
2N2920
仓库库存编号:
2N2920CS-ND
别名:2N2920CS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 60MHz 1.5W Through Hole TO-78-6
型号:
2N2920A
仓库库存编号:
2N2920A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6
型号:
2N3807
仓库库存编号:
2N3807-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6
型号:
2N3809
仓库库存编号:
2N3809-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6
型号:
2N3811
仓库库存编号:
2N3811CS-ND
别名:2N3811CS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6
型号:
2N3811A
仓库库存编号:
2N3811A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V,
含铅
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