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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PBRP113ZS,126
  仓库库存编号：PBRP113ZS,126-ND
  别名：934059137126
  PBRP113ZS AMO
  PBRP113ZS AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PBRP123ES,126
  仓库库存编号：PBRP123ES,126-ND
  别名：934059133126
  PBRP123ES AMO
  PBRP123ES AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PBRP123YS,126
  仓库库存编号：PBRP123YS,126-ND
  别名：934059139126
  PBRP123YS AMO
  PBRP123YS AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 700V 4A DPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 4A Surface Mount DPAK
  
  型号：PHD13005AD,127
  仓库库存编号：PHD13005AD,127-ND
  别名：934064309127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -,
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• Infineon Technologies
  TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
  详细描述：RF Transistor NPN 5V 12mA 50mW Surface Mount PG-SOT343-4
  
  型号：BGR405H6327XTSA1
  仓库库存编号：BGR405H6327XTSA1TR-ND
  别名：BGR 405 H6327
  BGR 405 H6327-ND
  SP000750466
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -,
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