产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 15A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC07D60E6
仓库库存编号：
SIDC07D60E6-ND
别名：SP000016326
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 7A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC08D120F6
仓库库存编号：
SIDC08D120F6-ND
别名：SP000013475
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 10A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC08D120H6
仓库库存编号：
SIDC08D120H6-ND
别名：SP000013216
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC09D60E6
仓库库存编号：
SIDC09D60E6-ND
别名：SP000012546
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC09D60E6 UNSAWN
仓库库存编号：
SIDC09D60E6 UNSAWN-ND
别名：SIDC09D60E6UNSAWN
SP000012547
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC09D60E6Y
仓库库存编号：
SIDC09D60E6Y-ND
别名：SP000012548
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 15A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC10D120H6
仓库库存编号：
SIDC10D120H6-ND
别名：SP000013220
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 200A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC110D170H
仓库库存编号：
SIDC110D170H-ND
别名：SP000013982
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 15A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC14D120E6
仓库库存编号：
SIDC14D120E6-ND
别名：SP000011975
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 15A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC14D120F6
仓库库存编号：
SIDC14D120F6-ND
别名：SP000013486
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 25A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC14D120H6
仓库库存编号：
SIDC14D120H6-ND
别名：SP000013210
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 30A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC14D60E6
仓库库存编号：
SIDC14D60E6-ND
别名：SP000011941
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 30A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC14D60E6Y
仓库库存编号：
SIDC14D60E6Y-ND
别名：SIDC14D60E6SANYO
SP000011942
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 300A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 300A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC161D170H
仓库库存编号：
SIDC161D170H-ND
别名：SP000013983
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 25A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC23D120E6
仓库库存编号：
SIDC23D120E6-ND
别名：SP000011943
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 25A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC23D120F6
仓库库存编号：
SIDC23D120F6-ND
别名：SP000013485
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 35A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC23D120H6
仓库库存编号：
SIDC23D120H6-ND
别名：SP000013214
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC23D60E6
仓库库存编号：
SIDC23D60E6-ND
别名：SP000011944
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC23D60E6Y
仓库库存编号：
SIDC23D60E6Y-ND
别名：SP000011945
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 35A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC30D120E6
仓库库存编号：
SIDC30D120E6-ND
别名：SP000011946
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 35A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC30D120F6
仓库库存编号：
SIDC30D120F6-ND
别名：SP000014011
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 50A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC30D120H6
仓库库存编号：
SIDC30D120H6-ND
别名：SP000013211
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 75A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC30D60E6
仓库库存编号：
SIDC30D60E6-ND
别名：SP000011947
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 50A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC32D170H
仓库库存编号：
SIDC32D170H-ND
别名：SP000013977
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
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DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 50A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC42D120E6
仓库库存编号：
SIDC42D120E6-ND
别名：SP000011948
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
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