产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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分立半导体产品
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Rohm Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 5A Through Hole TO-247-3
型号：
SCS110KE2C
仓库库存编号：
SCS110KE2C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 10A (DC) Through Hole TO-247-3
型号：
SCS120KE2C
仓库库存编号：
SCS120KE2C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
型号：
BB545E7904HTSA1
仓库库存编号：
BB545E7904HTSA1CT-ND
别名：BB 545 E7904CT
BB 545 E7904CT-ND
BB545E7904HTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 100mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
型号：
3LP01M-TL-H
仓库库存编号：
3LP01M-TL-HOSCT-ND
别名：3LP01M-TL-HOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE ZENER 13V 100MW VMN2
详细描述：Zener Diode 13V 100mW ±2% Surface Mount VMN2
型号：
CDZT2RA13B
仓库库存编号：
CDZT2RA13BCT-ND
别名：CDZT2RA13BCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE ZENER 4.7V 100MW VMN2
详细描述：Zener Diode 4.7V 100mW ±2% Surface Mount VMN2
型号：
CDZT2RA4.7B
仓库库存编号：
CDZT2RA4.7BCT-ND
别名：CDZT2RA4.7BCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE ZENER 6.2V 100MW VMN2
详细描述：Zener Diode 6.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2
型号：
CDZT2RA6.2B
仓库库存编号：
CDZT2RA6.2BCT-ND
别名：CDZT2RA6.2BCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 150mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP
型号：
3LN01C-TB-E
仓库库存编号：
3LN01C-TB-EOSCT-ND
别名：3LN01C-TB-EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3
详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 70mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
型号：
5HP01M-TL-H
仓库库存编号：
5HP01M-TL-HOSCT-ND
别名：5HP01M-TL-HOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 350mA 800mW Surface Mount 6-MCPH
型号：
MCH6602-TL-E
仓库库存编号：
MCH6602-TL-EOSCT-ND
别名：MCH6602-TL-EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V MCPH6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 350mA, 200mA 800mW Surface Mount 6-MCPH
型号：
MCH6613-TL-E
仓库库存编号：
MCH6613-TL-EOSCT-ND
别名：MCH6613-TL-EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600C6
仓库库存编号：
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10UDTRLP
仓库库存编号：
IRG4RC10UDTRLPCT-ND
别名：IRG4RC10UDTRLPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP11N60
仓库库存编号：
FCP11N60-ND
别名：FCP11N60_NL
FCP11N60_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM
详细描述：标准 通孔 二极管 20A TO-220NFM
型号：
RFN20TF6SFH
仓库库存编号：
RFN20TF6SFH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 37.9W（Tc） TO-220F-3
型号：
FCPF16N60
仓库库存编号：
FCPF16N60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3206GPBF
仓库库存编号：
IRFB3206GPBF-ND
别名：SP001565784
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 43A 298W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
型号：
HGTG11N120CND
仓库库存编号：
HGTG11N120CND-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40KPBF
仓库库存编号：
IRG4PC40KPBF-ND
别名：*IRG4PC40KPBF
SP001541874
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 15A TO247-3
详细描述：IGBT 1200V 30A 156W Through Hole TO-247
型号：
NGTB15N120FLWG
仓库库存编号：
NGTB15N120FLWGOS-ND
别名：NGTB15N120FLWG-ND
NGTB15N120FLWGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP16N60
仓库库存编号：
FCP16N60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 48A 250W TO262
详细描述：IGBT Trench 600V 48A 250W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL4062DPBF
仓库库存编号：
IRGSL4062DPBF-ND
别名：SP001535892
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 25A TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB25N120FLWG
仓库库存编号：
NGTB25N120FLWGOS-ND
别名：NGTB25N120FLWG-ND
NGTB25N120FLWGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 24A 104W TO247
详细描述：IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-247
型号：
HGTG12N60C3D
仓库库存编号：
HGTG12N60C3D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50FD-EPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50FD-EPBF-ND
别名：IRG4PC50FDEPBF
SP001536044
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