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• Diodes Incorporated
  DIODE GEN PURP 100V 1A SMB
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 1A SMB
  
  型号：FR1B-13-F
  仓库库存编号：FR1B-FDICT-ND
  别名：FR1B-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
  详细描述：标准 通孔 二极管 100V 200mA ALF2
  
  型号：1N914B,113
  仓库库存编号：568-1365-1-ND
  别名：1N914B113
  568-1365-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 40V 0.2A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N3904,116
  仓库库存编号：568-1366-1-ND
  别名：2N3904116
  568-1366-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 40V 0.2A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N3906,116
  仓库库存编号：568-1367-1-ND
  别名：2N3906116
  568-1367-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 40V 0.6A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 630mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N4401,116
  仓库库存编号：568-1368-1-ND
  别名：2N4401116
  568-1368-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 45V 0.5A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC337-16,126
  仓库库存编号：568-1627-1-ND
  别名：568-1627-1
  BC33716126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 45V 0.5A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC337-25,126
  仓库库存编号：568-1628-1-ND
  别名：568-1628-1
  BC33725126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  DIODE AVALANCHE 200V 1.5A MELF
  详细描述：雪崩 表面贴装 二极管 200V 1.5A MELF
  
  型号：BYD17D,115
  仓库库存编号：568-1661-1-ND
  别名：568-1661-1
  BYD17D115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  DIODE AVALANCHE 400V 1.5A MELF
  详细描述：雪崩 表面贴装 二极管 400V 1.5A MELF
  
  型号：BYD17G,115
  仓库库存编号：568-1662-1-ND
  别名：568-1662-1
  BYD17G115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  DIODE AVALANCHE 600V 1.5A MELF
  详细描述：雪崩 表面贴装 二极管 600V 1.5A MELF
  
  型号：BYD17J,115
  仓库库存编号：568-1663-1-ND
  别名：568-1663-1
  BYD17J115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  DIODE AVALANCHE 1KV 600MA MELF
  详细描述：雪崩 表面贴装 二极管 1000V 600mA MELF
  
  型号：BYD37M,115
  仓库库存编号：568-1664-1-ND
  别名：544-1664-1
  544-1664-1-ND
  568-1664-1
  BYD37M115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  DIODE AVALANCHE 100V 850MA MELF
  详细描述：雪崩 表面贴装 二极管 100V 850mA MELF
  
  型号：BYD77B,115
  仓库库存编号：568-1665-1-ND
  别名：568-1665-1
  BYD77B115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF
  详细描述：雪崩 表面贴装 二极管 200V 850mA MELF
  
  型号：BYD77D,115
  仓库库存编号：568-1666-1-ND
  别名：568-1666-1
  BYD77D115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 40V 0.6A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PN2222A,116
  仓库库存编号：568-1751-1-ND
  别名：568-1751-1
  PN2222A116
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 60V 0.6A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PN2907A,116
  仓库库存编号：568-1752-1-ND
  别名：568-1752-1
  PN2907A116
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH60N60
  仓库库存编号：IXGH60N60-ND
  别名：Q2124563A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Diodes Incorporated
  DIODE SCHOTTKY 40V 10A DPAK
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 40V 10A DPAK
  
  型号：MBRD1040-T-F
  仓库库存编号：MBRD1040-T-FDICT-ND
  别名：MBRD1040-T-FDICT
  MBRD1040TF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Diodes Incorporated
  DIODE SCHOTTKY 40V 5A POWERMITE3
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 40V 5A Powermite 3
  
  型号：SBM540-13-F
  仓库库存编号：SBM540-FDICT-ND
  别名：SBM540-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Diodes Incorporated
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 10A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  
  型号：SBG1045CT-F
  仓库库存编号：SBG1045CT-F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8016-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8016HTE12LQMDKR-ND
  别名：TPCA8016HTE12LQDKR
  TPCA8016HTE12LQDKR-ND
  TPCA8016HTE12LQM
  TPCA8016HTE12LQMDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8007-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8007HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8007HTE12LQ
  TPCA8007HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 7A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8009-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8009HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8009HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8010-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8010HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8010HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8008-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8008HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8008HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Broadcom Limited
  IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 50mA 225mW Surface Mount SOT-143
  
  型号：AT-41511-TR1G
  仓库库存编号：516-1568-1-ND
  别名：516-1568-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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