以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MODULE IGBT CBI E2
  详细描述：IGBT Module
  
  型号：FP30R06YE3BOMA1
  仓库库存编号：FP30R06YE3BOMA1-ND
  别名：SP000100331
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 23A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Ta），157A（Tc） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7182TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7182TRPBF-ND
  别名：SP001556394
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 32A 140W TO220
  详细描述：IGBT NPT 600V 32A 140W Through Hole TO-220 Full Pack
  
  型号：IRGIB4620DPBF
  仓库库存编号：IRGIB4620DPBF-ND
  别名：SP001545068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 47A 206W TO220
  详细描述：IGBT NPT 600V 47A 206W Through Hole TO-220 Full Pack
  
  型号：IRGIB4630DPBF
  仓库库存编号：IRGIB4630DPBF-ND
  别名：SP001548140
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 65A 250W TO220
  详细描述：IGBT NPT 600V 65A 250W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGIB4640DPBF
  仓库库存编号：IRGIB4640DPBF-ND
  别名：SP001536328
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 10A（Ta），12A（Tc） 2W
  
  型号：62-0095PBF
  仓库库存编号：62-0095PBF-ND
  别名：SP001569182
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 2.5W
  
  型号：62-0136PBF
  仓库库存编号：62-0136PBF-ND
  别名：SP001562150
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 160A（Tc） 230W（Tc）
  
  型号：64-0055PBF
  仓库库存编号：64-0055PBF-ND
  别名：SP001553580
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8PQFN
  详细描述：IGBT
  
  型号：IRGH4610DPBF
  仓库库存编号：IRGH4610DPBF-ND
  别名：SP001537754
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8PQFN
  详细描述：IGBT
  
  型号：IRGH4607DPBF
  仓库库存编号：IRGH4607DPBF-ND
  别名：SP001548150
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V FULLPAK220 COPAK
  详细描述：IGBT 600V 7A Through Hole TO-220FP
  
  型号：IRGIB4607DPBF
  仓库库存编号：IRGIB4607DPBF-ND
  别名：SP001537740
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V FULLPAK220 COPAK
  详细描述：IGBT 600V 10A Through Hole TO-220FP
  
  型号：IRGIB4610DPBF
  仓库库存编号：IRGIB4610DPBF-ND
  别名：SP001546242
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V FULLPAK220 COPAK
  详细描述：IGBT 600V 15A Through Hole TO-220FP
  
  型号：IRGIB4615DPBF
  仓库库存编号：IRGIB4615DPBF-ND
  别名：SP001542156
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V TO247 COPAK
  详细描述：IGBT 650V 160A Through Hole TO-247
  
  型号：IRGPS47160DPBF
  仓库库存编号：IRGPS47160DPBF-ND
  别名：SP001536548
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V TO247 COPAK
  详细描述：IGBT
  
  型号：IRGP4269D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4269D-EPBF-ND
  别名：SP001542378
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V TO247 COPAK
  详细描述：IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247
  
  型号：IRGP4263D1PBF
  仓库库存编号：IRGP4263D1PBF-ND
  别名：SP001545026
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V TO247 COPAK
  详细描述：IGBT
  
  型号：IRGP4269DPBF
  仓库库存编号：IRGP4269DPBF-ND
  别名：SP001546196
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V TO220 COPAK
  详细描述：IGBT
  
  型号：IRGB4710DPBF
  仓库库存编号：IRGB4710DPBF-ND
  别名：SP001549640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V TO247 COPAK
  详细描述：IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247
  
  型号：IRGP4263D1-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4263D1-EPBF-ND
  别名：SP001549754
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4
  
  型号：PTAB182002TCV2R250XTMA1
  仓库库存编号：PTAB182002TCV2R250XTMA1-ND
  别名：SP001483354
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
  详细描述：RF Mosfet
  
  型号：PTAB182002TCV2XWSA1
  仓库库存编号：PTAB182002TCV2XWSA1-ND
  别名：SP001234428
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
  详细描述：RF Mosfet
  
  型号：PTFA080551EV4T500XWSA1
  仓库库存编号：PTFA080551EV4T500XWSA1-ND
  别名：SP000393365
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC RF FET LDMOS H-36248-2
  详细描述：RF Mosfet
  
  型号：PTFA081501E1V4R250XTMA1
  仓库库存编号：PTFA081501E1V4R250XTMA1-ND
  别名：SP000539346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC RF FET LDMOS H-36248-2
  详细描述：RF Mosfet
  
  型号：PTFA081501E1V4T500XWSA1
  仓库库存编号：PTFA081501E1V4T500XWSA1-ND
  别名：SP000393360
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC RF FET LDMOS H-36248-2
  详细描述：RF Mosfet
  
  型号：PTFA081501E1V4XWSA1
  仓库库存编号：PTFA081501E1V4XWSA1-ND
  别名：SP000373146
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索