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• Infineon Technologies
  FET RF LDMOS 220W H33288-2
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.75A 940MHz 18dB 220W H-33288-2
  
  型号：PTFA092211ELV4XWSA1
  仓库库存编号：PTFA092211ELV4XWSA1TR-ND
  别名：PTFA092211EL V4
  PTFA092211EL V4-ND
  SP000640628
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  FET RF LDMOS 220W H33288-3
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.75A 940MHz 18dB 220W H-33288-2
  
  型号：PTFA092211ELV4R250XTMA1
  仓库库存编号：PTFA092211ELV4R250XTMA1TR-ND
  别名：PTFA092211EL V4 R250
  PTFA092211EL V4 R250-ND
  SP000640630
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  FET RF LDMOS 150W H36248-2
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-36248-2
  
  型号：PTFB191501EV1XWSA1
  仓库库存编号：PTFB191501EV1XWSA1TR-ND
  别名：PTFB191501E V1
  PTFB191501E V1-ND
  SP000695468
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  FET RF LDMOS 150W H36248-2
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-36248-2
  
  型号：PTFB191501EV1R250XTMA1
  仓库库存编号：PTFB191501EV1R250XTMA1TR-ND
  别名：PTFB191501E V1 R250
  PTFB191501E V1 R250-ND
  SP000695470
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 14A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0908NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0908NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0908NSCT
  BSC0908NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R2K0C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K0C6CT
  IPD60R2K0C6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta），13A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS9301TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS9301TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS9301TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.9A（Ta），21A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS8242TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS8242TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS8242TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
  
  型号：IRFHS9351TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS9351TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS9351TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS8342TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS8342TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS8342TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
  
  型号：IRLHS6276TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHS6276TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHS6276TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.81GHz 17.9dB 74W NI1230-8
  
  型号：MRF8S18260HR5
  仓库库存编号：MRF8S18260HR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.81GHz 17.9dB 74W NI1230-8
  
  型号：MRF8S18260HR6
  仓库库存编号：MRF8S18260HR6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
  
  型号：IRF6702M2DTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6702M2DTR1PBF-ND
  别名：IRF6702M2DTR1P
  IRF6702M2DTR1P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
  
  型号：IRF6702M2DTRPBF
  仓库库存编号：IRF6702M2DTRPBF-ND
  别名：SP001523948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
  
  型号：IRF6708S2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6708S2TR1PBF-ND
  别名：SP001523958
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
  
  型号：IRF6708S2TRPBF
  仓库库存编号：IRF6708S2TRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3607GPBF
  仓库库存编号：IRFB3607GPBF-ND
  别名：SP001577820
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
  详细描述：MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
  
  型号：IRFI4121H-117P
  仓库库存编号：IRFI4121H-117P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 454W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4066-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4066-EPBF-ND
  别名：SP001540800
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 5GHZ SOT323
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
  
  型号：BFR94AW,115
  仓库库存编号：BFR94AW,115-ND
  别名：934064959115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2
  
  型号：BLC6G22LS-75,112
  仓库库存编号：BLC6G22LS-75,112-ND
  别名：934061298112
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK6507-55C,127
  仓库库存编号：568-7487-5-ND
  别名：568-7487-5
  934064253127
  BUK6507-55C,127-ND
  BUK650755C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 77A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK6510-75C,127
  仓库库存编号：568-7489-5-ND
  别名：568-7489-5
  934064248127
  BUK6510-75C,127-ND
  BUK651075C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  含铅
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