以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 22A 66W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC20FTRLPBF
  仓库库存编号：IRG4RC20FTRLPBFCT-ND
  别名：IRG4RC20FTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL1004STRLPBF
  仓库库存编号：IRL1004STRLPBFCT-ND
  别名：IRL1004STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL8113STRLPBF
  仓库库存编号：IRL8113STRLPBFCT-ND
  别名：IRL8113STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：SI3443DVTRPBF
  仓库库存编号：SI3443DVTRPBFCT-ND
  别名：SI3443DVTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE TUNING 30V 20MA SCD80
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
  
  型号：BB857H7902XTSA1
  仓库库存编号：BB857H7902XTSA1CT-ND
  别名：BB 857 H7902CT
  BB 857 H7902CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830DTR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM831TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM831TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM831TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRLHM620TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHM620TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHM620TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRLHM630TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHM630TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHM630TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE TUNING 10V 20MA SCD80
  详细描述：Varactor Single 10V Surface Mount PG-SCD80-2
  
  型号：BBY5702WH6327XTSA1
  仓库库存编号：BBY5702WH6327XTSA1CT-ND
  别名：BBY 57-02W H6327CT
  BBY 57-02W H6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 800mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230-8
  
  型号：MRF8P18265HR6
  仓库库存编号：MRF8P18265HR6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 800mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230S-8
  
  型号：MRF8P18265HSR5
  仓库库存编号：MRF8P18265HSR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 800mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230S-8
  
  型号：MRF8P18265HSR6
  仓库库存编号：MRF8P18265HSR6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.03GHz 16dB 20W NI-780-4
  
  型号：MRF8P20100HR3
  仓库库存编号：MRF8P20100HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 280mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780-4
  
  型号：MRF8P23080HR3
  仓库库存编号：MRF8P23080HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 280mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780-4
  
  型号：MRF8P23080HR5
  仓库库存编号：MRF8P23080HR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.96GHZ NI780H
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780
  
  型号：MRF8S19140HR3
  仓库库存编号：MRF8S19140HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780S
  
  型号：MRF8S19140HSR3
  仓库库存编号：MRF8S19140HSR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780S
  
  型号：MRF8S19140HSR5
  仓库库存编号：MRF8S19140HSR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230-8
  
  型号：MRF8S19260HR6
  仓库库存编号：MRF8S19260HR6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230S-8
  
  型号：MRF8S19260HSR5
  仓库库存编号：MRF8S19260HSR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230S-8
  
  型号：MRF8S19260HSR6
  仓库库存编号：MRF8S19260HSR6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.17GHZ NI780H
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 850mA 2.17GHz 17.6dB 28W NI-780
  
  型号：MRF8S21120HR3
  仓库库存编号：MRF8S21120HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.14GHZ NI780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780
  
  型号：MRF8S21140HR3
  仓库库存编号：MRF8S21140HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 
  
  无铅
• 搜索