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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220-2FP
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 2A（DC） PG-TO220-2 整包
  
  型号：IDV02S60CXKSA1
  仓库库存编号：IDV02S60CXKSA1-ND
  别名：IDT02S60C
  IDT02S60C-ND
  IDV02S60C
  IDV02S60C-ND
  SP000274984
  SP000659198
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2FP
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 3A（DC） PG-TO220-2 整包
  
  型号：IDV03S60CXKSA1
  仓库库存编号：IDV03S60CXKSA1-ND
  别名：IDT03S60C
  IDT03S60C-ND
  IDV03S60C
  IDV03S60C-ND
  SP000274985
  SP000732198
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R520CP
  IPA60R520CP-ND
  SP000405856
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R600CP
  IPA60R600CP-ND
  SP000405884
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB05CN10N G
  仓库库存编号：IPB05CN10N G-ND
  别名：SP000096440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB06CN10N G
  仓库库存编号：IPB06CN10N G-ND
  别名：SP000096446
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB08CN10N G
  仓库库存编号：IPB08CN10N G-ND
  别名：SP000096448
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB08CNE8N G
  仓库库存编号：IPB08CNE8N G-ND
  别名：SP000096449
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB114N03L G
  仓库库存编号：IPB114N03L G-ND
  别名：SP000304102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB12CN10N G
  仓库库存编号：IPB12CN10N G-ND
  别名：SP000096450
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB12CNE8N G
  仓库库存编号：IPB12CNE8N G-ND
  别名：SP000096451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB147N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB147N03LGATMA1TR-ND
  别名：IPB147N03L G
  IPB147N03L G-ND
  SP000254712
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB16CN10N G
  仓库库存编号：IPB16CN10N G-ND
  别名：SP000096452
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB26CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB26CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB26CN10N G
  IPB26CN10N G-ND
  SP000277692
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB34CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB34CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB34CN10N G
  IPB34CN10N G-ND
  SP000277693
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB50CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB50CN10N G
  IPB50CN10N G-ND
  SP000277696
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R250CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R250CPATMA1TR-ND
  别名：IPB60R250CP
  IPB60R250CP-ND
  SP000358140
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB79CN10N G
  仓库库存编号：IPB79CN10N G-ND
  别名：SP000277697
  
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S2L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N04S2L-03
  IPB80N04S2L-03-ND
  SP000220158
  
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S205ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S205ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2-05
  IPB80N06S2-05-ND
  SP000218877
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L05ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-05
  IPB80N06S2L-05-ND
  SP000219004
  
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L-H5
  仓库库存编号：IPB80N06S2L-H5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3-05
  仓库库存编号：IPB80N06S3-05-ND
  别名：SP000102222
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD068N10N3 G
  IPD068N10N3 G-ND
  SP000469892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD082N10N3 G
  IPD082N10N3 G-ND
  SP000485986
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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