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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3715TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR3715TRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRRPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6648TR1
  仓库库存编号：IRF6648CT-ND
  别名：IRF6648CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 960MHZ SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 650mA 920MHz ~ 960MHz 19dB 48W SOT502B
  
  型号：BLF4G10LS-120,112
  仓库库存编号：568-2404-ND
  别名：568-2404
  934058478112
  BLF4G10LS-120
  BLF4G10LS-120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 894.2MHz 19.7dB 160W SOT502B
  
  型号：BLF4G10LS-160,112
  仓库库存编号：568-2392-ND
  别名：568-2392
  934058738112
  BLF4G10LS-160
  BLF4G10LS-160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.5dB 100W LDMOST
  
  型号：BLF4G20-110B,112
  仓库库存编号：568-2393-ND
  别名：568-2393
  934058886112
  BLF4G20-110B
  BLF4G20-110B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 650mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.4dB 100W SOT502B
  
  型号：BLF4G20LS-110B,112
  仓库库存编号：568-2405-ND
  别名：568-2405
  934058713112
  BLF4G20LS-110B
  BLF4G20LS-110B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 14.6dB 130W SOT502B
  
  型号：BLF4G20LS-130,112
  仓库库存编号：568-2414-ND
  别名：568-2414
  934058844112
  BLF4G20LS-130
  BLF4G20LS-130-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.5dB 100W SOT502B
  
  型号：BLF4G20S-110B,112
  仓库库存编号：568-2415-ND
  别名：568-2415
  934058896112
  BLF4G20S-110B
  BLF4G20S-110B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 33W SOT502B
  
  型号：BLF4G22LS-130,112
  仓库库存编号：568-2416-ND
  别名：568-2416
  934059192112
  BLF4G22LS-130
  BLF4G22LS-130-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 25W SOT502B
  
  型号：BLF4G22S-100,112
  仓库库存编号：568-2399-ND
  别名：568-2399
  934058168112
  BLF4G22S-100
  BLF4G22S-100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4
  详细描述：RF Transistor NPN 4.5V 50mA 40GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP
  
  型号：BFP640FE6327
  仓库库存编号：BFP640FE6327INCT-ND
  别名：BFP640FE6327INCT
  BFP640FE6327XTINCT
  BFP640FE6327XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N03SG
  仓库库存编号：BSC022N03SGINCT-ND
  别名：BSC022N03SGINCT
  BSC022N03SGXTINCT
  BSC022N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03SG
  仓库库存编号：BSC032N03SGINCT-ND
  别名：BSC032N03SGINCT
  BSC032N03SGXTINCT
  BSC032N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3L-03
  仓库库存编号：IPB100N06S3L-03INCT-ND
  别名：IPB100N06S3L-03INCT
  IPB100N06S3L-03XTINCT
  IPB100N06S3L-03XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BTS247Z E3062A
  仓库库存编号：BTS247Z E3062A-ND
  别名：BTS247ZE3062AATMA1
  BTS247ZE3062ANT
  BTS247ZE3062AT
  BTS247ZE3062AT-ND
  SP000012187
  SP000399010
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LAT
  仓库库存编号：IPB09N03LAT-ND
  别名：SP000016271
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L03T
  仓库库存编号：SPB100N03S2L03T-ND
  别名：SP000013460
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10T
  仓库库存编号：SPB21N10T-ND
  别名：SP000013626
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10T
  仓库库存编号：SPB35N10T-ND
  别名：SP000013627
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L08T
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08T-ND
  别名：SP000016257
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L06T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06T-ND
  别名：SP000016264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L07T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07T-ND
  别名：SP000013749
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L10T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10T-ND
  别名：SP000016254
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2L03
  仓库库存编号：SPI100N03S2L03-ND
  别名：SP000013491
  SPI100N03S2L03X
  SPI100N03S2L03X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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