产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715TRR
仓库库存编号:
IRL3715TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRL
仓库库存编号:
IRLR3714TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRR
仓库库存编号:
IRLR3714TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TR
仓库库存编号:
IRLR3715TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRL
仓库库存编号:
IRLR3715TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRR
仓库库存编号:
IRLR3715TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRL
仓库库存编号:
IRLR8103VTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRR
仓库库存编号:
IRLR8103VTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 170A(Tc) 580W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS3810
仓库库存编号:
IRFPS3810-ND
别名:*IRFPS3810
Q1244033
SP001560530
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103
仓库库存编号:
IRF6215L-103-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7757TR
仓库库存编号:
IRF7757TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET
详细描述:MOSFET
型号:
IRFC2604B
仓库库存编号:
IRFC2604B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT D2PAK
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30WSTRR
仓库库存编号:
IRG4BC30WSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT DIE
详细描述:IGBT 600V 55A Through Hole Die
型号:
IRG4CC50UB
仓库库存编号:
IRG4CC50UB-ND
别名:SP001541902
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7534D1TR
仓库库存编号:
IRF7534D1CT-ND
别名:*IRF7534D1TR
IRF7534D1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716
仓库库存编号:
IRL3716-ND
别名:*IRL3716
Q1265959
SP001568284
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716S
仓库库存编号:
IRL3716S-ND
别名:*IRL3716S
Q1282555
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 900mA(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5802TR
仓库库存编号:
IRF5802TRCT-ND
别名:*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802CT-ND
IRF5802TRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7476
仓库库存编号:
IRF7476-ND
别名:*IRF7476
Q1332195
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 32A 200W TO220
详细描述:IGBT 1200V 32A 200W Through Hole TO-220AB
型号:
BUP213
仓库库存编号:
BUP213IN-ND
别名:BUP213IN
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A
仓库库存编号:
BUZ30AIN-ND
别名:BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73
仓库库存编号:
BUZ73IN-ND
别名:BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO263
详细描述:IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole TO-220AB
型号:
SGP30N60XKSA1
仓库库存编号:
SGP30N60XKSA1-ND
别名:SGP30N60
SGP30N60IN
SGP30N60IN-ND
SP000683130
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名:SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60S5
仓库库存编号:
SPP07N60S5IN-ND
别名:SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
SPP07N60S5XTIN
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