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• Central Semiconductor Corp
  DIODE ZENER 6.2V 325MW SOT363
  详细描述：Zener Diode 6.2V 325mW ±5% Surface Mount SOT-363
  
  型号：CMKTC825A TR
  仓库库存编号：CMKTC825A CT-ND
  别名：CMKTC825A CT
  CMKTC825E CT
  CMKTC825E CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 1A SMF（DO-219AB）
  
  型号：VS-1EFH01WHM3-18
  仓库库存编号：VS-1EFH01WHM3-18GICT-ND
  别名：VS-1EFH01WHM3-18GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 200V 1A SMF
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 1A SMF（DO-219AB）
  
  型号：VS-1EFH02WHM3-18
  仓库库存编号：VS-1EFH02WHM3-18GICT-ND
  别名：VS-1EFH02WHM3-18GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 1A SMF（DO-219AB）
  
  型号：VS-1EFH01W-M3-18
  仓库库存编号：VS-1EFH01W-M3-18GICT-ND
  别名：VS-1EFH01W-M3-18GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 200V 1A SMF
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 1A SMF（DO-219AB）
  
  型号：VS-1EFH02W-M3-18
  仓库库存编号：VS-1EFH02W-M3-18GICT-ND
  别名：VS-1EFH02W-M3-18GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 60A 189W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 189W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB30N60SWG
  仓库库存编号：NGTB30N60SWGOS-ND
  别名：NGTB30N60SWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• ON Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY 200V 20A D2PAK
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 200V 20A D2PAK
  
  型号：NTSB40200CTG
  仓库库存编号：NTSB40200CTGOS-ND
  别名：NTSB40200CTGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 700mA 1.6W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：FW276-TL-2H
  仓库库存编号：FW276-TL-2HOSCT-ND
  别名：FW276-TL-2HOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Microchip Technology
  MOSFET 2N-CH 1200V
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Cascoded) 1200V (1.2kV) 350mW Surface Mount 6-LFGA (3x3)
  
  型号：LN100LA-G
  仓库库存编号：LN100LA-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 500mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 14.5dB 56W SOT1252-1
  
  型号：BLC8G24LS-240AVZ
  仓库库存编号：BLC8G24LS-240AVZ-ND
  别名：934067995517
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 500mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 14.5dB 56W SOT-1251-2
  
  型号：BLC8G27LS-245AVY
  仓库库存编号：BLC8G27LS-245AVY-ND
  别名：934068216518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE VARACTOR 15V 20MA SOT-23
  详细描述：Varactor Single 15V Surface Mount SOT-23
  
  型号：SMV1235-001
  仓库库存编号：SMV1235-001-ND
  别名：Q8801380
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 60A（DC） TO-247-2
  
  型号：GDP60P120B
  仓库库存编号：1560-1000-5-ND
  别名：1560-1000
  1560-1000-5
  1560-1000-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A040CG
  仓库库存编号：GP1M003A040CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A040PG
  仓库库存编号：GP1M003A040PG-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A050CG
  仓库库存编号：GP1M003A050CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A050HG
  仓库库存编号：GP1M003A050HG-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A050PG
  仓库库存编号：GP1M003A050PG-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M004A090FH
  仓库库存编号：GP1M004A090FH-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 123W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M004A090H
  仓库库存编号：GP1M004A090H-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A040CG
  仓库库存编号：GP1M005A040CG-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A040PG
  仓库库存编号：GP1M005A040PG-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A050CH
  仓库库存编号：GP1M005A050CH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 过期,
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