产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DAT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P60DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P60DA(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P60DAT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.7A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P60DB(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P60DB(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P60DBT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E06K3A,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E06K3AS1X(S-ND
别名:TK50E06K3AS1X(S
TK50E06K3AS1XS
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
型号:
TK50E06K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E06K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E06K3S1SSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E08K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E08K3S1X(S-ND
别名:TK50E08K3S1X(S
TK50E08K3S1XS
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
型号:
TK50E10K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E10K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E10K3S1SSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6008-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6008-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 5.3A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6009-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6009-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 6A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6011(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6011(TE85LFM)-ND
别名:TPC6011(TE85LFM)
TPC6011TE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 6A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6012(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6012(TE85LFM)-ND
别名:TPC6012(TE85LFM)
TPC6012TE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8125,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8125LQ(S-ND
别名:TPC8125LQ(S
TPC8125LQS
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8126,LQ(CM
仓库库存编号:
TPC8126LQ(CM-ND
别名:TPC8126LQ(CM
TPC8126LQCM
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 700mW(Ta),18W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8065-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8065-HLQ(S-ND
别名:TPCC8065-HLQ(S
TPCC8065HLQS
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 700mW(Ta),17W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8066-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8066-HLQ(S-ND
别名:TPCC8066-HLQ(S
TPCC8066HLQS
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 700mW(Ta),15W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8067-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8067-HLQ(S-ND
别名:TPCC8067-HLQ(S
TPCC8067HLQS
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Renesas Electronics America
IGBT 1100V 60A 250W TO247
详细描述:IGBT 1100V 60A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
RJH1BF7RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1BF7RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
详细描述:IGBT 1200V 55A 227.2W Through Hole TO-247-3
型号:
RJH1CF6RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1CF6RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 60A 250W TO247
详细描述:IGBT 1200V 60A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
RJH1CF7RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1CF7RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 140W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 45A 140W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D0DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 40W TO3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJH60D0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJH60D0DPM-00#T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60D1DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60D1DPP-M0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 75A 200W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 75A 200W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D5DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 在售,
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