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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 800V 20A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N80Q
仓库库存编号:
IXFH20N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX26N60Q
仓库库存编号:
IXFX26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 20A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N80Q
仓库库存编号:
IXFT20N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 16A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N90Q
仓库库存编号:
IXFH16N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N100Q
仓库库存编号:
IXFH15N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N100
仓库库存编号:
IXFH15N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT14N100
仓库库存编号:
IXFT14N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V ISOPLUS247?
型号:
IXFR75N10Q
仓库库存编号:
IXFR75N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Tc) 416W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK35N50
仓库库存编号:
IXFK35N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 76A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N10Q
仓库库存编号:
IXFR80N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
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Microsemi Corporation
RF PWR MOSFET 450V TO-247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 150V 81.36MHz 13dB 90W TO-247
型号:
ARF449AG
仓库库存编号:
ARF449AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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Microsemi Corporation
RF PWR MOSFET 450V TO-247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 150V 81.36MHz 13dB 90W TO-247
型号:
ARF449BG
仓库库存编号:
ARF449BG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号:
VS-GT105LA120UX
仓库库存编号:
VS-GT105LA120UX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
详细描述:IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号:
VS-GT105NA120UX
仓库库存编号:
VS-GT105NA120UX-ND
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Microsemi Corporation
RF FET N CH 450V 15A TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 150V 40.68MHz 15dB 140W TO-247
型号:
ARF448BG
仓库库存编号:
ARF448BG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
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Microsemi Corporation
RF FETS N CH 450V 15A TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 150V 40.68MHz 15dB 230W TO-247
型号:
ARF448AG
仓库库存编号:
ARF448AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 21.9W 1A M115
详细描述:RF Transistor NPN 45V 1A 960MHz ~ 1.215GHz 21.9W Chassis Mount M115
型号:
SD1526-01
仓库库存编号:
SD1526-01-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 11W 700MA 55FT3
详细描述:RF Transistor NPN 30V 700mA 225MHz ~ 400MHz 11W Chassis, Stud Mount 55FT
型号:
UMIL3
仓库库存编号:
UMIL3-ND
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 50W 1A 55FW1
详细描述:RF Transistor NPN 65V 1A 1.025GHz ~ 1.15GHz 50W Chassis Mount 55FW
型号:
1015MP
仓库库存编号:
1015MP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 175W 4A M220
详细描述:RF Transistor NPN 25V 4A 1.025GHz ~ 1.15GHz 175W Chassis Mount M220
型号:
MS2553C
仓库库存编号:
MS2553C-ND
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Microsemi Corporation
IC BYISTOR FOR PWR AMP 55LU
详细描述:Transistor Linear Amplifier Bias BYSISTOR 55V 700mA Stud Mount 55FT
型号:
BYI-1T
仓库库存编号:
BYI-1T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 上次购买时间,
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 6W 300MA 55AU2
详细描述:RF Transistor NPN 22V 300mA 2GHz 6W Chassis Mount 55AU
型号:
MPA201
仓库库存编号:
MPA201-ND
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M/A-Com Technology Solutions
HEMT N-CH 28V 65W 3300-3800MHZ
详细描述:RF Mosfet HEMT 28V 750mA 3.3GHz ~ 3.8GHz 12dB 6W
型号:
NPT35050AB
仓库库存编号:
1465-1419-ND
别名:1465-1419
NPT35050
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 575W 20A M214
详细描述:RF Transistor NPN 60V 20A 960MHz ~ 1.215GHz 575W Chassis Mount M214
型号:
MS2267
仓库库存编号:
MS2267-ND
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M/A-Com Technology Solutions
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
详细描述:RF Mosfet HEMT 28V 1.4A 900MHz 18.3dB 53dBm
型号:
NPT1007B
仓库库存编号:
1465-1772-ND
别名:1465-1772
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