产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 1A DO-214AC（SMA）
型号：
CEFA102-G
仓库库存编号：
CEFA102-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
详细描述：标准 表面贴装 二极管 50V 2A DO-214AC（SMA）
型号：
CEFA201-G
仓库库存编号：
CEFA201-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA
详细描述：标准 表面贴装 二极管 50V 1A DO-214AA（SMB）
型号：
CEFB101-G
仓库库存编号：
CEFB101-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 1A DO-214AA（SMB）
型号：
CEFB102-G
仓库库存编号：
CEFB102-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
详细描述：标准 表面贴装 二极管 50V 2A DO-214AA（SMB）
型号：
CEFB201-G
仓库库存编号：
CEFB201-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 2A DO-214AA（SMB）
型号：
CEFB202-G
仓库库存编号：
CEFB202-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 3A CPD
型号：
RF301B2STL
仓库库存编号：
RF301B2STLCT-ND
别名：RF301B2STLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 56A 190W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 56A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH24N60C4D1
仓库库存编号：
IXGH24N60C4D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 100A 300W TO3P
详细描述：IGBT PT 600V 100A 300W Through Hole TO-3P
型号：
IXGQ50N60B4D1
仓库库存编号：
IXGQ50N60B4D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述：IGBT PT 600V 90A 300W Through Hole TO-3P
型号：
IXGQ50N60C4D1
仓库库存编号：
IXGQ50N60C4D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 2A Surface Mount TO-277, 3-PowerDFN
型号：
UH4PDC-M3/86A
仓库库存编号：
UH4PDC-M3/86AGICT-ND
别名：UH4PDC-M3/86AGICT
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
详细描述：IGBT Trench 600V 16A 30W Through Hole TO-220FL
型号：
RJH60V1BDPP-M0#T2
仓库库存编号：
RJH60V1BDPP-M0#T2-ND
别名：RJH60V1BDPPM0T2
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 25A 63W LDPAK
详细描述：IGBT Trench 600V 25A 63W Surface Mount 4-LDPAK
型号：
RJH60V2BDPE-00#J3
仓库库存编号：
RJH60V2BDPE-00#J3CT-ND
别名：RJH60V2BDPE-00#J3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 35A 113W LDPAK
详细描述：IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号：
RJH60V3BDPE-00#J3
仓库库存编号：
RJH60V3BDPE-00#J3CT-ND
别名：RJH60V3BDPE-00#J3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 16A 52W LDPAK
详细描述：IGBT Trench 600V 16A 52W Surface Mount 4-LDPAK
型号：
RJH60V1BDPE-00#J3
仓库库存编号：
RJH60V1BDPE-00#J3CT-ND
别名：RJH60V1BDPE-00#J3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
型号：
RJH60F5BDPQ-A0#T0
仓库库存编号：
RJH60F5BDPQ-A0#T0-ND
别名：RJH60F5BDPQA0T0
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06
详细描述：标准 通孔 二极管 200V 600mA MPG06
型号：
UG06D-E3/54
仓库库存编号：
UG06D-E3/54GICT-ND
别名：UG06D-E3/54GICT
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP
详细描述：标准 通孔 二极管 600V 30A（DC） TO-220FP-2L
型号：
RJU6054TDPP-EJ#T2
仓库库存编号：
RJU6054TDPP-EJ#T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 2.5A D-5A
型号：
JAN1N5804US
仓库库存编号：
1086-2120-ND
别名：1086-2120
1086-2120-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 50V 1A
型号：
JANTXV1N5802
仓库库存编号：
1086-2838-ND
别名：1086-2838
1086-2838-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
详细描述：标准 表面贴装 二极管 50V 1A D-5A
型号：
JANTXV1N5802US
仓库库存编号：
1086-2839-ND
别名：1086-2839
1086-2839-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
详细描述：标准 表面贴装 二极管 100V 1A D-5A
型号：
JANTXV1N5804US
仓库库存编号：
1086-2841-ND
别名：1086-2841
1086-2841-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 75V 1A
型号：
1N5803
仓库库存编号：
1N5803-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 125V 1A
型号：
1N5805
仓库库存编号：
1N5805-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
含铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
详细描述：标准 通孔 二极管 600V 10A（DC） TO-220FP-2L
型号：
RJU6052TDPP-EJ#T2
仓库库存编号：
RJU6052TDPP-EJ#T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：反向恢复时间（trr） 25ns,
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