产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 134W（Tc） TO-247
型号：
CMF10120D
仓库库存编号：
CMF10120D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT22F120B2
仓库库存编号：
APT22F120B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2FLLG
仓库库存编号：
APT12067B2FLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 318W（Tc） HiP247?
型号：
SCT50N120
仓库库存编号：
497-16598-5-ND
别名：497-16598-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3
型号：
C2M0080120D
仓库库存编号：
C2M0080120D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 270W（Tc） HiP247?
型号：
SCT30N120
仓库库存编号：
497-14960-ND
别名：497-14960
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
型号：
C2M0040120D
仓库库存编号：
C2M0040120D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 463W（Tc） TO-247-3
型号：
C2M0025120D
仓库库存编号：
C2M0025120D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 103W（Tc） TO-247N
型号：
SCT3160KLGC11
仓库库存编号：
SCT3160KLGC11-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 165W（Tc） TO-247
型号：
SCT2160KEC
仓库库存编号：
SCT2160KEC-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.2KV 10A
详细描述：通孔 10A（Tc） 170W（Tc） TO-247AB
型号：
GA10JT12-247
仓库库存编号：
1242-1187-ND
别名：1242-1187
GA10JT12247
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT28M120B2
仓库库存编号：
APT28M120B2-ND
别名：APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT7F120B
仓库库存编号：
APT7F120B-ND
别名：APT7F120BMI
APT7F120BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
型号：
APT34M120J
仓库库存编号：
APT34M120J-ND
别名：APT34M120JMI
APT34M120JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT28M120L
仓库库存编号：
APT28M120L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW6N120K3
仓库库存编号：
497-12122-ND
别名：497-12122
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW12N120K5
仓库库存编号：
STFW12N120K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 33W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP02N120P
仓库库存编号：
IXTP02N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY02N120P
仓库库存编号：
IXTY02N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1N120P
仓库库存编号：
IXTY1N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 50W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA08N120P
仓库库存编号：
IXTA08N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP08N120P
仓库库存编号：
IXTP08N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R4N120P
仓库库存编号：
IXTY1R4N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） TO-220AB
型号：
IXTY08N120P
仓库库存编号：
IXTY08N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP06N120P
仓库库存编号：
IXTP06N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 1200V,
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