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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R280CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEBTMA1CT
  IPD50R280CEIN
  IPD50R280CEIN-ND
  IPD50R280CEINCT
  IPD50R280CEINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 30.4W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R280CE
  仓库库存编号：IPA50R280CEIN-ND
  别名：IPA50R280CEIN
  IPA50R280CEXKSA1
  SP000848218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R500CE
  仓库库存编号：IPA50R500CEIN-ND
  别名：IPA50R500CEIN
  IPA50R500CEXKSA1
  SP000939320
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 26.4W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R800CE
  仓库库存编号：IPA50R800CE-ND
  别名：IPA50R800CEXKSA1
  SP000992084
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18.5A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R190CE
  仓库库存编号：IPA50R190CE-ND
  别名：IPA50R190CEXKSA1
  SP000848220
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.1A（Tc） 27.2W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R650CE
  仓库库存编号：IPA50R650CE-ND
  别名：IPA50R650CEXKSA1
  SP000992086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9.9A（Tc） 29.2W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R380CE
  仓库库存编号：IPA50R380CE-ND
  别名：IPA50R380CEXKSA1
  SP000848216
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEBKMA1-ND
  别名：IPU50R950CE
  IPU50R950CE-ND
  SP001022956
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 119W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R280CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI08N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014461
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014467
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI21N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI21N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014463
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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