以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5020BNFR
  仓库库存编号：APT5020BNFR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5022BNG
  仓库库存编号：APT5022BNG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5025BN
  仓库库存编号：APT5025BN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58MJ50J
  仓库库存编号：APT58MJ50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC24N50Q
  仓库库存编号：IXFC24N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXTH）
  
  型号：IXTH21N50Q
  仓库库存编号：IXTH21N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT26N50Q TR
  仓库库存编号：IXFT26N50Q TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  N-CHANNEL ADVANCE QFET C-SERIES
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD5N50CTM_WS
  仓库库存编号：FQD5N50CTM_WS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM13N50ACI C0G
  仓库库存编号：TSM13N50ACI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM13N50ACZ C0G
  仓库库存编号：TSM13N50ACZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM6N50CH C5G
  仓库库存编号：TSM6N50CH C5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM6N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM6N50CP ROGTR-ND
  别名：TSM6N50CP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM6N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM6N50CP ROGCT-ND
  别名：TSM6N50CP ROGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM6N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM6N50CP ROGDKR-ND
  别名：TSM6N50CP ROGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM8N50CH C5G
  仓库库存编号：TSM8N50CH C5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM8N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM8N50CP ROGTR-ND
  别名：TSM8N50CP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM8N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM8N50CP ROGCT-ND
  别名：TSM8N50CP ROGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM8N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM8N50CP ROGDKR-ND
  别名：TSM8N50CP ROGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 250W（Tc） TO-254AA
  
  型号：IRFM460
  仓库库存编号：IRFM460-ND
  别名：Q1134250
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：IRF450
  仓库库存编号：IRF450-ND
  别名：*IRF450
  Q2009037
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299 E6327
  仓库库存编号：BSP299 E6327-ND
  别名：BSP299E6327T
  SP000011110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R250CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R250CPHKSA1-ND
  别名：IPP50R250CP
  IPP50R250CP-ND
  SP000236071
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP299L6327HUSA1CT-ND
  别名：BSP299 L6327CT
  BSP299 L6327CT-ND
  BSP299L6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R950CE
  仓库库存编号：IPA50R950CEIN-ND
  别名：IPA50R950CEIN
  IPA50R950CEXKSA1
  SP000939328
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEBTMA1CT
  IPD50R950CEIN
  IPD50R950CEIN-ND
  IPD50R950CEINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
• 
  
  无铅
• 搜索