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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M023A050N
  仓库库存编号：GP2M023A050N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M003A050FG
  仓库库存编号：1560-1154-5-ND
  别名：1560-1154-1
  1560-1154-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FSH
  仓库库存编号：1560-1159-5-ND
  别名：1560-1159-1
  1560-1159-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050HS
  仓库库存编号：1560-1160-5-ND
  别名：1560-1160-1
  1560-1160-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M008A050CG
  仓库库存编号：1560-1167-1-ND
  别名：1560-1167-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A050FG
  仓库库存编号：1560-1168-5-ND
  别名：1560-1168-1
  1560-1168-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A050HG
  仓库库存编号：1560-1169-5-ND
  别名：1560-1169-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M011A050FH
  仓库库存编号：1560-1178-5-ND
  别名：1560-1178-1
  1560-1178-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050H
  仓库库存编号：1560-1179-5-ND
  别名：1560-1179-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 183W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M013A050H
  仓库库存编号：1560-1181-5-ND
  别名：1560-1181-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M015A050FH
  仓库库存编号：1560-1182-5-ND
  别名：1560-1182-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M023A050N
  仓库库存编号：1560-1192-5-ND
  别名：1560-1192-1
  1560-1192-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M005A050CG
  仓库库存编号：1560-1197-1-ND
  别名：1560-1197-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A050PG
  仓库库存编号：1560-1198-5-ND
  别名：1560-1198-1
  1560-1198-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M013A050F
  仓库库存编号：1560-1212-5-ND
  别名：1560-1212-1
  1560-1212-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M020A050H
  仓库库存编号：1560-1213-5-ND
  别名：1560-1213-1
  1560-1213-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1518-E
  仓库库存编号：2SK1518-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5002DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：2SK4196LS-1E
  仓库库存编号：2SK4196LS-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N50_004
  仓库库存编号：AOD3N50_004-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 104W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT5N50_001
  仓库库存编号：AOT5N50_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N50FD_001
  仓库库存编号：AOTF10N50FD_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK44N50F
  仓库库存编号：IXFK44N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 43A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT5012JN
  仓库库存编号：APT5012JN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5020BN
  仓库库存编号：APT5020BN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 500V,
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