产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP07N65C3HKSA1-ND
别名：SP000014631
SPP07N65C3
SPP07N65C3-ND
SPP07N65C3IN
SPP07N65C3IN-ND
SPP07N65C3X
SPP07N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP20N65C3HKSA1-ND
别名：SP000014369
SPP20N65C3
SPP20N65C3-ND
SPP20N65C3IN
SPP20N65C3IN-ND
SPP20N65C3X
SPP20N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP24N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP24N60C3HKSA1-ND
别名：SPP24N60C3
SPP24N60C3-ND
SPP24N60C3IN
SPP24N60C3IN-ND
SPP24N60C3X
SPP24N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD01N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD01N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R385CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R385CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R385CPINCT
IPD60R385CPINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名：IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R250CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R250CPAKSA1-ND
别名：IPI60R250CP
IPI60R250CP-ND
SP000358141
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R520CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R520CPXKSA1-ND
别名：IPP60R520CP
IPP60R520CP-ND
SP000405860
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R250CP
仓库库存编号：
IPW60R250CP-ND
别名：IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264433
SP000681000
SPI15N60CFD
SPI15N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI20N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000229995
SP000681008
SPI20N60CFD
SPI20N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP07N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264424
SP000681032
SPP07N60CFD
SPP07N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP15N65C3HKSA1-ND
别名：SP000294824
SP000681054
SPP15N65C3
SPP15N65C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP24N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP24N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264426
SP000681070
SPP24N60CFD
SPP24N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS01N60C3
仓库库存编号：
SPS01N60C3-ND
别名：SP000235876
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS02N60C3
仓库库存编号：
SPS02N60C3-ND
别名：SP000235878
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名：SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW07N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW07N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000264430
SPW07N60CFD
SPW07N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP07N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP07N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013525
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP20N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000014475
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI11N65C3HKSA1-ND
别名：SP000014526
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
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