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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.5A（Tc） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：2SK4088LS
  仓库库存编号：2SK4088LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.5A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：2SK4089LS
  仓库库存编号：2SK4089LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3PB
  
  型号：2SK4126
  仓库库存编号：2SK4126-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A65DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A65DA(STA4QM)-ND
  别名：TK4A65DA(STA4QM)
  TK4A65DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 11A
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.5A（Tc） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：2SK4088LS-1E
  仓库库存编号：2SK4088LS-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M006A065CH
  仓库库存编号：GP1M006A065CH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065F
  仓库库存编号：GP1M006A065F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M006A065PH
  仓库库存编号：GP1M006A065PH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A065CG
  仓库库存编号：GP2M002A065CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M002A065FG
  仓库库存编号：GP2M002A065FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A065HG
  仓库库存编号：GP2M002A065HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A065PG
  仓库库存编号：GP2M002A065PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A065CG
  仓库库存编号：GP2M004A065CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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  MOSFET N-CH 650V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A065HG
  仓库库存编号：GP2M004A065HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M007A065HG
  仓库库存编号：GP2M007A065HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065FH
  仓库库存编号：1560-1161-5-ND
  别名：1560-1161-1
  1560-1161-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M007A065CG
  仓库库存编号：1560-1163-2-ND
  别名：1560-1163-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 32.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M004A065FG
  仓库库存编号：1560-1195-5-ND
  别名：1560-1195-1
  1560-1195-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M004A065PG
  仓库库存编号：1560-1196-5-ND
  别名：1560-1196-1
  1560-1196-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 9.5A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M010A065F
  仓库库存编号：1560-1207-5-ND
  别名：1560-1207-1
  1560-1207-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 9.5A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M010A065H
  仓库库存编号：1560-1208-5-ND
  别名：1560-1208-1
  1560-1208-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT8N65_001
  仓库库存编号：AOT8N65_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM2NB65CH X0G
  仓库库存编号：TSM2NB65CH X0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB65CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB65CP ROGTR-ND
  别名：TSM2NB65CP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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