产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名：IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 27.8W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000875794
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 31.2W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R420CFD
IPA65R420CFD-ND
SP000890322
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R420CFD
IPI65R420CFD-ND
SP000891702
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R420CFD
IPP65R420CFD-ND
SP000876824
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA06N60C3
仓库库存编号：
SPA06N60C3IN-ND
别名：SP000216301
SPA06N60C3IN
SPA06N60C3XK
SPA06N60C3XKSA1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R420CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPD65R420CFDAATMA1-ND
别名：SP000928262
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.9A（Tc） 104.2W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名：SP000949258
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R380C6XKSA1-ND
别名：IPP65R380C6
IPP65R380C6-ND
SP000785082
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R380C6XKSA1-ND
别名：IPA65R380C6
IPA65R380C6-ND
SP000720896
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.1A（Tc） 104W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R310E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R310E6AUMA1-ND
别名：SP000895216
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R380C6XKSA1-ND
别名：IPI65R380C6
IPI65R380C6-ND
SP000785080
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R280E6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R280E6ATMA1-ND
别名：SP000795274
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDAAKSA1-ND
别名：SP000875802
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP07N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3IN-ND
SPP07N60C3X
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R280C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R280C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R280C6CT
IPB65R280C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名：IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名：IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R310CFD
IPA65R310CFD-ND
SP000890320
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
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