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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB22N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH24N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R360P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 46W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R365P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R365P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R365P7AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R180P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R180P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R180P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R225C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R225C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R225C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R190C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R190C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R190C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB20N60C3
  仓库库存编号：SPB20N60C3INCT-ND
  别名：SPB20N60C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD18N65M5
  仓库库存编号：497-13088-1-ND
  别名：497-13088-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD16N65M5
  仓库库存编号：497-8774-1-ND
  别名：497-8774-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N65M5
  仓库库存编号：497-12940-1-ND
  别名：497-12940-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB57N65M5
  仓库库存编号：497-13087-1-ND
  别名：497-13087-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 138A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY145N65M5
  仓库库存编号：497-13638-5-ND
  别名：497-13638-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N65M2
  仓库库存编号：497-15456-1-ND
  别名：497-15456-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 35A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 210W（Tc） TO-220
  
  型号：STP45N65M5
  仓库库存编号：497-12937-5-ND
  别名：497-12937-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF15N65
  仓库库存编号：FDPF15N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW42N65M5
  仓库库存编号：497-8796-5-ND
  别名：497-8796-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 415W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW47N60C3
  仓库库存编号：SPW47N60C3IN-ND
  别名：SP000013953
  SPW47N60C3FKSA1
  SPW47N60C3IN
  SPW47N60C3X
  SPW47N60C3XK
  SPW47N60C3XTIN
  SPW47N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 446W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R019C7FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R019C7FKSA1-ND
  别名：SP000928646
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N60C3INCT
  SPD06N60C3INCT-ND
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 25A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB25S65L
  仓库库存编号：785-1539-1-ND
  别名：785-1539-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R190CFD
  IPP65R190CFD-ND
  SP000881160
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 650V,
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