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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP300L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP300 L6327
  BSP300 L6327-ND
  BSP300L6327XT
  SP000089201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW17N80C3A
  仓库库存编号：SPW17N80C3A-ND
  别名：SP000101842
  SPW17N80C3AX
  SPW17N80C3AXK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3INCT
  SPD02N80C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3INCT
  SPD04N80C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K4CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K4CEBKMA1-ND
  别名：SP001100620
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K8CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K8CEBKMA1-ND
  别名：SP001100622
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001100624
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R2K8CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K8CEBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R1K4CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4CEBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001271058
  
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  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.8A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R310CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R310CEXKSA1-ND
  别名：SP001271076
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.8A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K4CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K4CEXKSA1-ND
  别名：SP001271052
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R460CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R460CEXKSA1-ND
  别名：SP001271070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.5A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001286432
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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