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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.3A（Tc） 185W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N80_F109
  仓库库存编号：FQA6N80_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.2A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA7N80_F109
  仓库库存编号：FQA7N80_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8.4A（Tc） 220W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA8N80C_F109
  仓库库存编号：FQA8N80C_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Ta） 75W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK2883(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK2883(TE24L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC15N80Q
  仓库库存编号：IXFC15N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Ta） 2.5W（Ta），190W（Tc） TO-3PB
  
  型号：2SK4209
  仓库库存编号：2SK4209-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.3A（Ta） 2W（Ta），36W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：BFL4004
  仓库库存编号：BFL4004-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 337W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT11F80S
  仓库库存编号：APT11F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 19A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT18M80S
  仓库库存编号：APT18M80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A080FH
  仓库库存编号：GP1M008A080FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：GP1M003A080CH
  仓库库存编号：1560-1155-1-ND
  别名：1560-1155-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M003A080FH
  仓库库存编号：1560-1156-5-ND
  别名：1560-1156-1
  1560-1156-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A080H
  仓库库存编号：1560-1170-5-ND
  别名：1560-1170-1
  1560-1170-1-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M010A080FH
  仓库库存编号：1560-1176-5-ND
  别名：1560-1176-1
  1560-1176-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.5A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M010A080H
  仓库库存编号：1560-1177-5-ND
  别名：1560-1177-1
  1560-1177-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M007A080F
  仓库库存编号：1560-1203-5-ND
  别名：1560-1203-1
  1560-1203-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M012A080NG
  仓库库存编号：1560-1211-5-ND
  别名：1560-1211-1
  1560-1211-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.4A（Tc） 245W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT8N80L_001
  仓库库存编号：AOT8N80L_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 40A（Tc） 690W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8018JN
  仓库库存编号：APT8018JN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT8075BN
  仓库库存编号：APT8075BN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUZ80A
  仓库库存编号：BUZ80AIN-ND
  别名：BUZ80AIN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3INCT
  SPD06N80C3INCT-ND
  SPD06N80C3XTINCT
  SPD06N80C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300 E6327
  仓库库存编号：BSP300 E6327-ND
  别名：BSP300E6327T
  SP000011111
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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