产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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分立半导体产品
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 29A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8024JLL
仓库库存编号:
APT8024JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 31A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8024LLLG
仓库库存编号:
APT8024LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT8M80K
仓库库存编号:
APT8M80K-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC10N80P
仓库库存编号:
IXFC10N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC12N80P
仓库库存编号:
IXFC12N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 130W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC14N80P
仓库库存编号:
IXFC14N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC16N80P
仓库库存编号:
IXFC16N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 166W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC20N80P
仓库库存编号:
IXFC20N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N80Q
仓库库存编号:
IXFH13N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXFI7N80P
仓库库存编号:
IXFI7N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 17A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXFT17N80Q
仓库库存编号:
IXFT17N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 360W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N80P
仓库库存编号:
IXFV12N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 12A(Tc) 360W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N80PS
仓库库存编号:
IXFV12N80PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 400W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV14N80P
仓库库存编号:
IXFV14N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 14A(Tc) 400W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV14N80PS
仓库库存编号:
IXFV14N80PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 16A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV16N80PS
仓库库存编号:
IXFV16N80PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 20A(Tc) 500W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV20N80PS
仓库库存编号:
IXFV20N80PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC13N80C
仓库库存编号:
IXKC13N80C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP1
型号:
APTC80A15T1G
仓库库存编号:
APTC80A15T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80DA15T1G
仓库库存编号:
APTC80DA15T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
型号:
APTC80DDA29T3G
仓库库存编号:
APTC80DDA29T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
型号:
APTC80DSK29T3G
仓库库存编号:
APTC80DSK29T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP1
型号:
APTC80H29T1G
仓库库存编号:
APTC80H29T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80SK15T1G
仓库库存编号:
APTC80SK15T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.8A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA10N80_F109
仓库库存编号:
FQA10N80_F109-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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