以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.8A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N80
  仓库库存编号：FQPF5N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N80TU
  仓库库存编号：FQI5N80TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.8A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80
  仓库库存编号：FQP6N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N80TM
  仓库库存编号：FQB5N80TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.3A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80
  仓库库存编号：FQPF6N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N80C
  仓库库存编号：FQA7N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80
  仓库库存编号：FQP7N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.8A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N80
  仓库库存编号：FQPF7N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N80TM_AM002
  仓库库存编号：FQB7N80TM_AM002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.3A（Tc） 185W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA6N80
  仓库库存编号：FQA6N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.4A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF6N80
  仓库库存编号：FQAF6N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8.4A（Tc） 220W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA8N80C
  仓库库存编号：FQA8N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF7N80
  仓库库存编号：FQAF7N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.2A（Tc） 198W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N80
  仓库库存编号：FQA7N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80C
  仓库库存编号：FQA10N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.9A（Tc） 107W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF8N80
  仓库库存编号：FQAF8N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80
  仓库库存编号：FQA10N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.7A（Tc） 113W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF10N80
  仓库库存编号：FQAF10N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80
  仓库库存编号：FQA13N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 156W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT11N80KC3G
  仓库库存编号：APT11N80KC3G-ND
  别名：APT11N80KC3GMI
  APT11N80KC3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT17N80BC3G
  仓库库存编号：APT17N80BC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT17N80SC3G
  仓库库存编号：APT17N80SC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 833W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT31N80JC3
  仓库库存编号：APT31N80JC3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT7F80K
  仓库库存编号：APT7F80K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 42A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8014JLL
  仓库库存编号：APT8014JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
• 
  
  无铅
• 搜索