产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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分立半导体产品
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP1
型号:
APTC80H15T1G
仓库库存编号:
APTC80H15T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
型号:
APTC80H15T3G
仓库库存编号:
APTC80H15T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP4
型号:
APTC80H29SCTG
仓库库存编号:
APTC80H29SCTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTC80TA15PG
仓库库存编号:
APTC80TA15PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTC80TDU15PG
仓库库存编号:
APTC80TDU15PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP4
型号:
APTC80A15SCTG
仓库库存编号:
APTC80A15SCTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4
型号:
APTC80A10SCTG
仓库库存编号:
APTC80A10SCTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 56A 568W Chassis Mount SP6
型号:
APTC80AM75SCG
仓库库存编号:
APTC80AM75SCG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEAKMA1-ND
别名:SP001593932
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-251-3
型号:
IPU80R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001593930
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU80R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001593928
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 10.8A(Ta) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R460CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA2-ND
别名:SP001313396
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA11N80C3XKSA2
仓库库存编号:
SPA11N80C3XKSA2-ND
别名:SP000216321
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN80R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPAN80R360P7XKSA1-ND
别名:SP001702158
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB80
仓库库存编号:
497-2781-5-ND
别名:497-2781-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW11NB80
仓库库存编号:
497-2789-5-ND
别名:497-2789-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF3HNK90Z
仓库库存编号:
497-4341-5-ND
别名:497-4341-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 19A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW18NK80Z
仓库库存编号:
497-4423-5-ND
别名:497-4423-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3HNK90Z
仓库库存编号:
497-7523-5-ND
别名:497-7523-5
STP3HNK90Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NK80Z
仓库库存编号:
STW13NK80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9NK80Z
仓库库存编号:
497-5108-5-ND
别名:497-5108-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30
仓库库存编号:
IRFPE30-ND
别名:*IRFPE30
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.8A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE50
仓库库存编号:
IRFPE50-ND
别名:*IRFPE50
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20
仓库库存编号:
IRFBE20-ND
别名:*IRFBE20
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30
仓库库存编号:
IRFBE30-ND
别名:*IRFBE30
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
含铅
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