产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N80P
仓库库存编号：
IXFH16N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV16N80P
仓库库存编号：
IXFV16N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXFT14N80P
仓库库存编号：
IXFT14N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH8N80
仓库库存编号：
IXFH8N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH20N80P
仓库库存编号：
IXFH20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT16N80P
仓库库存编号：
IXFT16N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA3N80
仓库库存编号：
IXFA3N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV20N80P
仓库库存编号：
IXFV20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT20N80P
仓库库存编号：
IXFT20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR20N80P
仓库库存编号：
IXFR20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK24N80P
仓库库存编号：
IXFK24N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH9N80Q
仓库库存编号：
IXFH9N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
型号：
APT17F80S
仓库库存编号：
APT17F80S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
型号：
IXFT24N80P
仓库库存编号：
IXFT24N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR24N80P
仓库库存编号：
IXFR24N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N80A
仓库库存编号：
IXTH6N80A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT17F80B
仓库库存编号：
APT17F80B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT24M80B
仓库库存编号：
APT24M80B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT22F80S
仓库库存编号：
APT22F80S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 34A（Tc） 417W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT34N80LC3G
仓库库存编号：
APT34N80LC3G-ND
别名：APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N80P
仓库库存编号：
IXFX32N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N80P
仓库库存编号：
IXFK32N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT24M80S
仓库库存编号：
APT24M80S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH13N80
仓库库存编号：
IXTH13N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-268
型号：
IXFT13N80Q
仓库库存编号：
IXFT13N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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