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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP7N80PM
  仓库库存编号：IXFP7N80PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N80P
  仓库库存编号：IXFA7N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N80
  仓库库存编号：IXTP1N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY1N80
  仓库库存编号：IXTY1N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK10J80E,S1E
  仓库库存编号：TK10J80ES1E-ND
  别名：TK10J80E,S1E(S
  TK10J80ES1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA10N80P
  仓库库存编号：IXFA10N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422558
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001632932
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ10N80P
  仓库库存编号：IXFQ10N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP7N80P
  仓库库存编号：IXFP7N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633514
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N80
  仓库库存编号：IXTA2N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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  MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N80P
  仓库库存编号：IXFH10N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633520
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP10N80P
  仓库库存编号：IXFP10N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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  MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ12N80P
  仓库库存编号：IXFQ12N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80_F109
  仓库库存编号：FQA13N80_F109FS-ND
  别名：FQA13N80_F109-ND
  FQA13N80_F109FS
  FQA13N80F109
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001632934
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N80P
  仓库库存编号：IXFH12N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP3N80
  仓库库存编号：IXFP3N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ14N80P
  仓库库存编号：IXFQ14N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT12M80B
  仓库库存编号：APT12M80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT11F80B
  仓库库存编号：APT11F80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N80P
  仓库库存编号：IXFH14N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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