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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N80C
  仓库库存编号：FQPF3N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K0P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K0P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF3N80
  仓库库存编号：785-1639-5-ND
  别名：785-1639-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K2P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K2P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R900P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R900P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R900P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF8N80
  仓库库存编号：785-1441-5-ND
  别名：785-1441-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80C
  仓库库存编号：FQP6N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R750P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R750P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R750P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R600P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001644612
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R2K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R2K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001644624
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R3K3P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R3K3P7AKMA1-ND
  别名：SP001636448
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N80P
  仓库库存编号：IXTP2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2N80P
  仓库库存编号：IXTY2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K0P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K0P7AKMA1-ND
  别名：SP001634912
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R2K0P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R2K0P7AKMA1-ND
  别名：SP001634926
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N80P
  仓库库存编号：IXTA2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU2N80P
  仓库库存编号：IXTU2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA4N80P
  仓库库存编号：IXTA4N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 41W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMN80H2D0SCTI
  仓库库存编号：DMN80H2D0SCTI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP4N80P
  仓库库存编号：IXTP4N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R360P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 25W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY01N80
  仓库库存编号：IXTY01N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N80P
  仓库库存编号：IXTP1N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 800V,
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