产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 14A(Tc) 175W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NM50
仓库库存编号:
497-3259-5-ND
别名:497-3259-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 20A(Tc) 214W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NM50
仓库库存编号:
497-3262-5-ND
别名:497-3262-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 3A(Tc) 46W(Tc) D-Pak
型号:
STD3NM50T4
仓库库存编号:
STD3NM50T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 550V 20A(Tc) 45W(Tc) TO-220FP
型号:
STP20NM50FP
仓库库存编号:
497-5394-5-ND
别名:497-5394-5
STP20NM50FP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 8A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NM50
仓库库存编号:
STP8NM50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 550V 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP8NM50FP
仓库库存编号:
497-5396-5-ND
别名:497-5396-5
STP8NM50FP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 285W(Tc) TO-247-3
型号:
STW24NK55Z
仓库库存编号:
497-7034-5-ND
别名:497-7034-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 550V 22A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N55
仓库库存编号:
IXFH22N55-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 44A(Tc) 463W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT5510JFLL
仓库库存编号:
APT5510JFLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 31A(Tc) 403W(Tc) TO-247-3
型号:
APT5518BFLLG
仓库库存编号:
APT5518BFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 77A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT55M50JFLL
仓库库存编号:
APT55M50JFLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 63A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT55M65JFLL
仓库库存编号:
APT55M65JFLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 26A(Tc) 375W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N55Q
仓库库存编号:
IXFH26N55Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 550V 48A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK48N55
仓库库存编号:
IXFK48N55-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 48A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N55
仓库库存编号:
IXFN48N55-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 16A(Ta) TO-220SIS
型号:
TK16A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK16A55D(STA4QM)-ND
别名:TK16A55D(STA4QM)
TK16A55DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 3.5A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK4A55DA(STA4QM)
TK4A55DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A55D(STA4QM)-ND
别名:TK4A55D(STA4QM)
TK4A55DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DAT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R399CP
仓库库存编号:
IPD50R399CP-ND
别名:SP000234984
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R520CP
仓库库存编号:
IPD50R520CP-ND
别名:SP000236063
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R140CP
仓库库存编号:
IPI50R140CP-ND
别名:SP000396822
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R350CP
仓库库存编号:
IPI50R350CP-ND
别名:SP000236084
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS50R520CP
仓库库存编号:
IPS50R520CP-ND
别名:SP000236067
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 550V,
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