产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R750E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R750E6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R750E6BTMA1CT
IPD60R750E6CT
IPD60R750E6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名：BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP135L6433HTMA1CT-ND
别名：BSP135 L6433CT
BSP135 L6433CT-ND
BSP135L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R520CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R520CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R520CPCT
IPB60R520CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
IPD60R520C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600P6
仓库库存编号：
IPD60R600P6CT-ND
别名：IPD60R600P6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R2K0C6BKMA1
仓库库存编号：
IPU60R2K0C6BKMA1-ND
别名：SP000931528
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R950C6BKMA1
仓库库存编号：
IPU60R950C6BKMA1-ND
别名：SP000931532
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
型号：
IPU60R1K0CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K0CEBKMA1-ND
别名：SP001276056
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
型号：
IPU60R1K5CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K5CEBKMA1-ND
别名：SP001276062
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013527
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380P6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R380P6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R380P6BTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520CPATMA1
仓库库存编号：
IPD60R520CPATMA1-ND
别名：SP000680640
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600CPATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600CPATMA1-ND
别名：SP000680642
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013522
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI20N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014453
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000014533
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N60S5BTMA1-ND
别名：SP000313946
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R380E6BTMA1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
不适用
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU60R1K4C6BKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K4C6BKMA1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
不适用
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380E6ATMA2
仓库库存编号：
IPD60R380E6ATMA2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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