产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2223)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(54)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(2169)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(167)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(9)
Exar Corporation(1)
Fairchild/ON Semiconductor(257)
GeneSiC Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(36)
Infineon Technologies(317)
IXYS(217)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(127)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
ON Semiconductor(61)
Panasonic Electronic Components(2)
Renesas Electronics America(29)
Rohm Semiconductor(89)
Sanken(2)
STMicroelectronics(446)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Toshiba Semiconductor and Storage(109)
Transphorm(9)
Vishay Siliconix(240)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU07N60S5
仓库库存编号：
SPU07N60S5IN-ND
别名：SPU07N60S5-ND
SPU07N60S5IN
SPU07N60S5X
SPU07N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60S5FKSA1-ND
别名：SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB04N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB04N60S5INCT
SPB04N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB07N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB07N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB07N60S5INCT
SPB07N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB11N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB11N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB11N60S5INCT
SPB11N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB20N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB20N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB20N60S5INCT
SPB20N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60S5
仓库库存编号：
SPD04N60S5INCT-ND
别名：SPD04N60S5INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6327
BSS126 L6327-ND
SP000247303
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6906
BSS126 L6906-ND
SP000247304
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名：IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名：IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R520CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R520CPAKSA1-ND
别名：IPI60R520CP
IPI60R520CP-ND
SP000405872
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R600CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R600CPAKSA1-ND
别名：IPI60R600CP
IPI60R600CP-ND
SP000405896
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R600CPXKSA1-ND
别名：IPP60R600CP
IPP60R600CP-ND
SP000405888
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6
仓库库存编号：
IPD60R380C6INCT-ND
别名：IPD60R380C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6
仓库库存编号：
IPD60R950C6INCT-ND
别名：IPD60R950C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA1-ND
别名：BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R2K0C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R2K0C6CT
IPD60R2K0C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R3K3C6
仓库库存编号：
IPD60R3K3C6CT-ND
别名：IPD60R3K3C6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
