产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名：SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW20N60S5FKSA1-ND
别名：SPW20N60S5
SPW20N60S5IN
SPW20N60S5IN-ND
SPW20N60S5X
SPW20N60S5XTIN
SPW20N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5
仓库库存编号：
SPD07N60S5INCT-ND
别名：SPD07N60S5INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3IN-ND
别名：SPP20N60C3
SPP20N60C3BKSA1
SPP20N60C3IN
SPP20N60C3X
SPP20N60C3XIN
SPP20N60C3XIN-ND
SPP20N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5T
仓库库存编号：
SPD07N60S5XTINCT-ND
别名：SPD07N60S5XTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125 E6327
仓库库存编号：
BSP125 E6327-ND
别名：BSP125E6327T
SP000011100
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125 E6433
仓库库存编号：
BSP125 E6433-ND
别名：BSP125E6433T
SP000011101
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6327
仓库库存编号：
BSP135 E6327-ND
别名：BSP135E6327T
SP000011103
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135 E6906
仓库库存编号：
BSP135 E6906-ND
别名：BSP135E6906T
SP000055417
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSP135L6906HTSA1TR-ND
别名：BSP135 L6906
BSP135 L6906-ND
BSP135L6906XT
SP000089207
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6327
仓库库存编号：
BSS126 E6327-ND
别名：BSS126E6327XT
SP000055447
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6906
仓库库存编号：
BSS126 E6906-ND
别名：BSS126E6906XT
SP000055448
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127 E6327
仓库库存编号：
BSS127 E6327-ND
别名：BSS127 E6327
BSS127 E6327-ND
BSS127E6327XT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS225
仓库库存编号：
BSS225-ND
别名：BSS225T
SP000017502
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS225L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS225L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327XT
SP000095776
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R299CPXKSA1-ND
别名：IPI60R299CP
IPI60R299CP-ND
IPI60R299CPAKSA1
IPI60R299CPX
IPI60R299CPXK
SP000103249
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPI07N60S5HKSA1-ND
别名：SP000013025
SP000680980
SPI07N60S5
SPI07N60S5-ND
SPI07N60S5IN
SPI07N60S5IN-ND
SPI07N60S5X
SPI07N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60S5BKSA1-ND
别名：SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60S5
仓库库存编号：
SPN02N60S5-ND
别名：SP000012412
SP000101880
SPN02N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60S5
仓库库存编号：
SPN03N60S5-ND
别名：SP000012413
SP000101881
SPN03N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 800mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN04N60S5
仓库库存编号：
SPN04N60S5-ND
别名：SP000012414
SP000101882
SPN04N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP02N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP02N60S5HKSA1-ND
别名：SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名：SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
SPP04N60S5X
SPP04N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU02N60S5BKMA1
仓库库存编号：
SPU02N60S5BKMA1-ND
别名：SPU02N60S5
SPU02N60S5-ND
SPU02N60S5IN
SPU02N60S5IN-ND
SPU02N60S5X
SPU02N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU04N60S5BKMA1
仓库库存编号：
SPU04N60S5BKMA1-ND
别名：SP000012424
SPU04N60S5
SPU04N60S5-ND
SPU04N60S5IN
SPU04N60S5IN-ND
SPU04N60S5X
SPU04N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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