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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A060PG
  仓库库存编号：GP2M002A060PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A060CG
  仓库库存编号：GP2M004A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M004A060FG
  仓库库存编号：GP2M004A060FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A060HG
  仓库库存编号：GP2M004A060HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A060PG
  仓库库存编号：GP2M005A060PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M008A060CG
  仓库库存编号：GP2M008A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M008A060FG
  仓库库存编号：GP2M008A060FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M008A060HG
  仓库库存编号：GP2M008A060HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M008A060PG
  仓库库存编号：GP2M008A060PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M010A060H
  仓库库存编号：GP2M010A060H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M012A060H
  仓库库存编号：GP2M012A060H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A060H
  仓库库存编号：1560-1172-5-ND
  别名：1560-1172-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M010A060H
  仓库库存编号：1560-1175-5-ND
  别名：1560-1175-1
  1560-1175-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M012A060H
  仓库库存编号：1560-1180-5-ND
  别名：1560-1180-1
  1560-1180-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A060F
  仓库库存编号：1560-1186-5-ND
  别名：1560-1186-1
  1560-1186-1-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M016A060H
  仓库库存编号：1560-1187-5-ND
  别名：1560-1187-1
  1560-1187-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M016A060N
  仓库库存编号：1560-1188-5-ND
  别名：1560-1188-1
  1560-1188-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M002A060FG
  仓库库存编号：1560-1193-5-ND
  别名：1560-1193-1
  1560-1193-1-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M005A060CG
  仓库库存编号：1560-1199-1-ND
  别名：1560-1199-1
  
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  MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 32.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M005A060FG
  仓库库存编号：1560-1200-5-ND
  别名：1560-1200-1
  1560-1200-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M005A060HG
  仓库库存编号：1560-1201-5-ND
  别名：1560-1201-1
  1560-1201-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A060PGH
  仓库库存编号：1560-1202-5-ND
  别名：1560-1202-1
  1560-1202-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M008A060FGH
  仓库库存编号：1560-1204-5-ND
  别名：1560-1204-1
  1560-1204-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M008A060PGH
  仓库库存编号：1560-1205-5-ND
  别名：1560-1205-1
  1560-1205-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M012A060F
  仓库库存编号：1560-1210-5-ND
  别名：1560-1210-1
  1560-1210-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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