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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS38N60L
  仓库库存编号：IRFPS38N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 40A（Tc） 570W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS40N60K
  仓库库存编号：IRFPS40N60K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHB30N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW23N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 125W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4C60
  仓库库存编号：785-1648-5-ND
  别名：785-1648-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF11C60
  仓库库存编号：785-1656-5-ND
  别名：785-1656-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2C60
  仓库库存编号：785-1662-1-ND
  别名：785-1662-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 14A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：2SK4087LS-1E
  仓库库存编号：2SK4087LS-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.5A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.9A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：2SK4099LS-1E
  仓库库存编号：2SK4099LS-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 17A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：2SK4125-1E
  仓库库存编号：2SK4125-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.7A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.7A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：BFL4007-1E
  仓库库存编号：BFL4007-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.5A（Tc） 46W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD01N60-1G
  仓库库存编号：NDD01N60-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.5A（Tc） 46W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD01N60T4G
  仓库库存编号：NDD01N60T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：WPB4002-1E
  仓库库存编号：WPB4002-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4T60
  仓库库存编号：AOI4T60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 463W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW20C60
  仓库库存编号：AOW20C60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12T60PL
  仓库库存编号：785-1700-1-ND
  别名：785-1700-1
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A060FH
  仓库库存编号：GP1M009A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M010A060FH
  仓库库存编号：GP1M010A060FH-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M012A060FH
  仓库库存编号：GP1M012A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A060FH
  仓库库存编号：GP1M016A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3P
  
  型号：GP1M020A060M
  仓库库存编号：GP1M020A060M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M020A060N
  仓库库存编号：GP1M020A060N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A060CG
  仓库库存编号：GP2M002A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A060HG
  仓库库存编号：GP2M002A060HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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