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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6014DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6014DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6015DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6015DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK6015DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK6015DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6018DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK6018DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK6018DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6020DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 62.5W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK6026DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK6026DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 29.5W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6035DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6035DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6012DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6013DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6018DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6020DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT15F60S
  仓库库存编号：APT15F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 19A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT18F60S
  仓库库存编号：APT18F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 24A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT23F60S
  仓库库存编号：APT23F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT28F60S
  仓库库存编号：APT28F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT38N60SC6
  仓库库存编号：APT38N60SC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10T60L
  仓库库存编号：785-1635-5-ND
  别名：785-1635-5
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10T60
  仓库库存编号：785-1637-5-ND
  别名：785-1637-5
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：MKE11R600DCGFC
  仓库库存编号：MKE11R600DCGFC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK12V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK12V60WLVQCT-ND
  别名：TK12V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 139W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK16V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK16V60WLVQCT-ND
  别名：TK16V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP21N60L
  仓库库存编号：IRFP21N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N60K
  仓库库存编号：IRFP22N60K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 470W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP26N60L
  仓库库存编号：IRFP26N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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