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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP20N60FS
  仓库库存编号：FCP20N60FS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF20N60FS
  仓库库存编号：FCPF20N60FS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 219W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT30N60KC6
  仓库库存编号：APT30N60KC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 24W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF02N60ZH
  仓库库存编号：NDF02N60ZH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 27W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF03N60ZH
  仓库库存编号：NDF03N60ZH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.4A（Tc） 36W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF08N60ZH
  仓库库存编号：NDF08N60ZH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI1N60L
  仓库库存编号：785-1536-5-ND
  别名：AOI1N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF2N60
  仓库库存编号：AOTF2N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF8N60
  仓库库存编号：AOTF8N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 89W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU7S65
  仓库库存编号：785-1523-5-ND
  别名：AOU7S65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI25N60N
  仓库库存编号：FCI25N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP25N60N
  仓库库存编号：FCP25N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 2W（Ta），28W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4197FS
  仓库库存编号：2SK4197FS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4198FS
  仓库库存编号：2SK4198FS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W5,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60W5S4VX-ND
  别名：TK16A60W5S4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK12P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK12P60WRVQCT-ND
  别名：TK12P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK12Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK12Q60WS1VQ-ND
  别名：TK12Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：HS54095TZ-E
  仓库库存编号：HS54095TZ-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK6002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK6002DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 77.6W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK6006DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK6006DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Ta） 29W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6006DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6006DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 100mA（Ta） 900mW（Ta） TO-92MOD
  
  型号：RJK6011DJE-00#Z0
  仓库库存编号：RJK6011DJE-00#Z0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6012DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6012DPP-E0#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK6013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK6013DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6013DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6013DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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