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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N60CTM
  仓库库存编号：FQB3N60CTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.26A（Tc） 147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8N60CFTM
  仓库库存编号：FQB8N60CFTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N60CTM
  仓库库存编号：FQD6N60CTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 300mA（Tc） 1W（Ta），3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQN1N60CBU
  仓库库存编号：FQN1N60CBU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60CT
  仓库库存编号：FQPF10N60CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8N60CT
  仓库库存编号：FQPF8N60CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD4N60TM_WS
  仓库库存编号：FCD4N60TM_WSCT-ND
  别名：FCD4N60TM_WSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.4A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP10N60C5M
  仓库库存编号：IXKP10N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP20N60_F080
  仓库库存编号：FCP20N60_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP7N60_F080
  仓库库存编号：FCP7N60_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTF_F080
  仓库库存编号：FQD2N60CTF_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C_F080
  仓库库存编号：FQP6N60C_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：SSR1N60BTM
  仓库库存编号：SSR1N60BTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：SSR1N60BTM_F080
  仓库库存编号：SSR1N60BTM_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK2544(F)
  仓库库存编号：2SK2544(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK2866(F)
  仓库库存编号：2SK2866(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Ta） 150W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK3906(Q)
  仓库库存编号：2SK3906(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK4016(Q)
  仓库库存编号：2SK4016(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3PB
  
  型号：2SK4125
  仓库库存编号：869-1071-ND
  别名：869-1071
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP602-TL-H
  仓库库存编号：869-1089-1-ND
  别名：869-1089-1
  ATP602TLH
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.6A（Tc） 61W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD03N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD03N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD03N60Z-1G-ND
  NDD03N60Z-1GOS
  NDD03N60Z1G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK4A60D(Q)
  TK4A60D(Q)-ND
  TK4A60D(STA4QM)
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.5A（Ta） TO-220SIS
  
  型号：TK4A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK4A60DA(STA4QM)
  TK4A60DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 74W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT2N60
  仓库库存编号：785-1185-5-ND
  别名：785-1185-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.5A（Tc） 83W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT3N60
  仓库库存编号：785-1186-5-ND
  别名：785-1186-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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