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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV30N60PS
  仓库库存编号：IXFV30N60PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC30N60P
  仓库库存编号：IXFC30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD4N60TF
  仓库库存编号：FCD4N60TFCT-ND
  别名：FCD4N60TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60F
  仓库库存编号：FCH47N60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU3N60CTU
  仓库库存编号：FQU3N60CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT12F60K
  仓库库存编号：APT12F60K-ND
  别名：APT12F60KMI
  APT12F60KMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT20N60BC3G
  仓库库存编号：APT20N60BC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT20N60SC3G
  仓库库存编号：APT20N60SC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT28F60B
  仓库库存编号：APT28F60B-ND
  别名：APT28F60BMI
  APT28F60BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT31N60BCSG
  仓库库存编号：APT31N60BCSG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 34A（Tc） 624W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT34F60BG
  仓库库存编号：APT34F60BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 62A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JVFR
  仓库库存编号：APT60M75JVFR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 55A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M80JVR
  仓库库存编号：APT60M80JVR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60CF
  仓库库存编号：FQPF10N60CF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX045N60FU6
  仓库库存编号：RDX045N60FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX060N60FU6
  仓库库存编号：RDX060N60FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 52A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50N60JCU2
  仓库库存编号：APT50N60JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM70T1G
  仓库库存编号：APTC60AM70T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60DAM35T1G
  仓库库存编号：APTC60DAM35T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60DDAM70T3G
  仓库库存编号：APTC60DDAM70T3G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60DSKM70T3G
  仓库库存编号：APTC60DSKM70T3G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM35T1G
  仓库库存编号：APTC60SKM35T1G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM60A23FT1G
  仓库库存编号：APTM60A23FT1G-ND
  别名：APTM60A23UT1G
  APTM60A23UT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 167W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA16N60_F109
  仓库库存编号：FCA16N60_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF20N60TYDTU
  仓库库存编号：FCPF20N60TYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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