产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFUC20
仓库库存编号:
IRFUC20-ND
别名:*IRFUC20
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40GLC
仓库库存编号:
IRFIBC40GLC-ND
别名:*IRFIBC40GLC
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC20L
仓库库存编号:
IRFBC20L-ND
别名:*IRFBC20L
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30L
仓库库存编号:
IRFBC30L-ND
别名:*IRFBC30L
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40L
仓库库存编号:
IRFBC40L-ND
别名:*IRFBC40L
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRL
仓库库存编号:
IRFBC20STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRR
仓库库存编号:
IRFBC20STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30AL
仓库库存编号:
IRFBC30AL-ND
别名:*IRFBC30AL
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRR
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRL
仓库库存编号:
IRFBC30STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRR
仓库库存编号:
IRFBC30STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40AL
仓库库存编号:
IRFBC40AL-ND
别名:*IRFBC40AL
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRR
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40LCL
仓库库存编号:
IRFBC40LCL-ND
别名:*IRFBC40LCL
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40LC
仓库库存编号:
IRFBC40LC-ND
别名:*IRFBC40LC
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCS
仓库库存编号:
IRFBC40LCS-ND
别名:*IRFBC40LCS
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCSTRL
仓库库存编号:
IRFBC40LCSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCSTRR
仓库库存编号:
IRFBC40LCSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRL
仓库库存编号:
IRFBC40STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRR
仓库库存编号:
IRFBC40STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LC
仓库库存编号:
IRFPC50LC-ND
别名:*IRFPC50LC
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 36W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1N60ATRL
仓库库存编号:
IRFR1N60ATRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 36W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1N60ATR
仓库库存编号:
IRFR1N60ATR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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