产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD6NM60N
仓库库存编号:
STD6NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
STP13NM60N
仓库库存编号:
497-8787-5-ND
别名:497-8787-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) TO-220-3
型号:
STP8NM60ND
仓库库存编号:
497-8793-5-ND
别名:497-8793-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
STB6NM60N
仓库库存编号:
497-8770-1-ND
别名:497-8770-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB8NM60N
仓库库存编号:
497-8771-1-ND
别名:497-8771-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD8NM60ND
仓库库存编号:
497-8775-1-ND
别名:497-8775-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD6NM60N-1
仓库库存编号:
STD6NM60N-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU8NM60ND
仓库库存编号:
STU8NM60ND-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD3NK60ZD
仓库库存编号:
497-10093-1-ND
别名:497-10093-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB18NM60N
仓库库存编号:
497-10297-1-ND
别名:497-10297-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STI18NM60N
仓库库存编号:
STI18NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI30NM60N
仓库库存编号:
STI30NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NK60Z
仓库库存编号:
497-10995-5-ND
别名:497-10995-5
STW12NK60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW22NM60N
仓库库存编号:
497-10998-5-ND
别名:497-10998-5
STW22NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13NM60N-H
仓库库存编号:
STF13NM60N-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 14A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16NK60Z
仓库库存编号:
STF16NK60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF26NM60N-H
仓库库存编号:
STF26NM60N-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 90W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NM60N
仓库库存编号:
497-10996-5-ND
别名:497-10996-5
STW13NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 68W(Tc) 14-PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL7NM60N
仓库库存编号:
497-11043-1-ND
别名:497-11043-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Tc) 45W(Tc) TO-220
型号:
STP7NM60N
仓库库存编号:
497-11337-5-ND
别名:497-11337-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
型号:
STW36NM60N
仓库库存编号:
497-12369-ND
别名:497-12369
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 45W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20NM60D
仓库库存编号:
STF20NM60D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 18A(Tc) 48W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW24N60M2
仓库库存编号:
497-15009-5-ND
别名:497-15009-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC20
仓库库存编号:
IRFBC20-ND
别名:*IRFBC20
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30
仓库库存编号:
IRFBC30-ND
别名:*IRFBC30
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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