产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R120C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R120C7XKSA1-ND
别名：SP001385040
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R120C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R120C7XKSA1-ND
别名：SP001385054
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA20N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000216361
SPA20N60CFD
SPA20N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 122W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R104C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R104C7AUMA1-ND
别名：SP001298008
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R199CP
仓库库存编号：
IPW60R199CP-ND
别名：IPW60R199CPFKSA1
IPW60R199CPX
IPW60R199CPXK
SP000089802
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R099C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R099C7XKSA1-ND
别名：SP001297996
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R120C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R120C7XKSA1-ND
别名：SP001385060
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 37.9A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R125P6FKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R125P6FKSA1-ND
别名：SP001313884
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R099CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R099CPAATMA1TR-ND
别名：IPB60R099CPA
IPB60R099CPA-ND
SP000315443
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R099CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R099CPXKSA1-ND
别名：IPI60R099CP
IPI60R099CP-ND
IPI60R099CPAKSA1
SP000297356
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R099CPAAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R099CPAAKSA1-ND
别名：IPI60R099CPA
IPI60R099CPA-ND
SP000315454
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R099CPAAKSA1
仓库库存编号：
IPP60R099CPAAKSA1-ND
别名：IPP60R099CPA
IPP60R099CPA-ND
SP000315418
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述：通孔 P 沟道 600V 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R099P6FKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R099P6FKSA1-ND
别名：SP001313882
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 171W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R065C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R065C7ATMA1-ND
别名：SP001080110
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385002
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385014
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R070P6FKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R070P6FKSA1-ND
别名：SP001313880
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R099CPAFKSA1
仓库库存编号：
IPW60R099CPAFKSA1-ND
别名：SP000597860
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385020
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385028
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 34.1A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW35N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW35N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000065487
SPW35N60CFD
SPW35N60CFD-ND
SPW35N60CFDIN
SPW35N60CFDIN-ND
SPW35N60CFDX
SPW35N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 77.5A（Tc） 481W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R041P6FKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R041P6FKSA1-ND
别名：SP001313878
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 46A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 46A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW47N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW47N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000065376
SPW47N60CFD
SPW47N60CFD-ND
SPW47N60CFDIN
SPW47N60CFDIN-ND
SPW47N60CFDX
SPW47N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R045CPAFKSA1
仓库库存编号：
IPW60R045CPAFKSA1-ND
别名：SP000539772
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW25NM60N
仓库库存编号：
497-5025-5-ND
别名：497-5025-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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