产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-263
型号：
IPB60R280P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R280P6ATMA1-ND
别名：SP001364468
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R380C6XKSA1-ND
别名：IPI60R380C6
IPI60R380C6-ND
SP000660630
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R385CP
仓库库存编号：
IPB60R385CPCT-ND
别名：IPB60R385CPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R230P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R230P6ATMA1-ND
别名：SP001364466
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R190CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R190CEXKSA1-ND
别名：SP001391612
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI07N60C3XKSA1-ND
别名：SP000680976
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001277630
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R299CP
仓库库存编号：
IPB60R299CPCT-ND
别名：IPB60R299CPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名：IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名：IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名：IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名：SP000539970
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 77W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名：SP001296238
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R160P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R160P6ATMA1-ND
别名：SP001313876
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R299CPXKSA1-ND
别名：IPA60R299CP
IPA60R299CP-ND
SP000096438
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681024
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 29W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R520C6
仓库库存编号：
IPA60R520C6-ND
别名：IPA60R520C6XKSA1
SP000645072
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001296216
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名：IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名：SP000539966
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名：IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R280E6
仓库库存编号：
IPW60R280E6-ND
别名：IPW60R280E6FKSA1
SP000797382
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 17A（Tc） 103W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R125C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R125C7AUMA1-ND
别名：SP001385066
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名：IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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