产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6AKMA1-ND
别名:SP001292888
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名:SP001117728
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117760
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BSP135H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP135H6433XTMA1-ND
别名:SP001058592
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名:SP001292878
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) TO-252
型号:
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117094
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600CEXKSA1-ND
别名:SP001391618
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名:SP001313874
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R380CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R380CEXKSA1-ND
别名:SP001391616
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R750E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R750E6XKSA1-ND
别名:IPP60R750E6
IPP60R750E6-ND
SP000842482
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD06N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117770
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R650CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名:IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600E6XKSA1-ND
别名:IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600E6
仓库库存编号:
IPP60R600E6-ND
别名:IPP60R600E6XKSA1
SP000797630
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600C6XKSA1-ND
别名:IPA60R600C6
IPA60R600C6-ND
SP000660624
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 93W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R330P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R330P6ATMA1-ND
别名:SP001364470
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP135H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP135H6906XTSA1-ND
别名:SP001058594
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280CEXKSA1-ND
别名:SP001391614
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520C6
仓库库存编号:
IPP60R520C6-ND
别名:IPP60R520C6XKSA1
SP000645068
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520E6XKSA1-ND
别名:IPP60R520E6
IPP60R520E6-ND
SP000797294
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R450E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R450E6XKSA1-ND
别名:IPA60R450E6
IPA60R450E6-ND
SP000842484
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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