产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N60Q3
仓库库存编号:
IXFR48N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 500W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6017LLLG
仓库库存编号:
APT6017LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM47-06KC5
仓库库存编号:
FDM47-06KC5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD47-06KC5
仓库库存编号:
FMD47-06KC5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT40N60JCU3
仓库库存编号:
APT40N60JCU3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 55A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL82N60P
仓库库存编号:
IXFL82N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 500W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6017LFLLG
仓库库存编号:
APT6017LFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB-TRR
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66M60L
仓库库存编号:
APT66M60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66F60L
仓库库存编号:
APT66F60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK52N60Q2
仓库库存编号:
IXFK52N60Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX52N60Q2
仓库库存编号:
IXFX52N60Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M60J
仓库库存编号:
APT30M60J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 43A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6013LLLG
仓库库存编号:
APT6013LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 600V 32A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN32P60P
仓库库存编号:
IXTN32P60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N60
仓库库存编号:
IXFL44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N60
仓库库存编号:
IXFE44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 700W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL60N60
仓库库存编号:
IXFL60N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 42A(Tc) 480W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT39M60J
仓库库存编号:
APT39M60J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 82A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB82N60Q3
仓库库存编号:
IXFB82N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 54A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT6010B2LLG
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APT6010B2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 44A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N60
仓库库存编号:
IXFN44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 50A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCCU2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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