产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N60X
仓库库存编号:
IXFQ60N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 368W(Tc) TO-247-3
型号:
FCH47N60N
仓库库存编号:
FCH47N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH20N60
仓库库存编号:
IXTH20N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N60Q
仓库库存编号:
IXFT20N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N60Q
仓库库存编号:
IXFH30N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX48N60P
仓库库存编号:
IXFX48N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 28A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC40N60C
仓库库存编号:
IXKC40N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 45.8A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60NF
仓库库存编号:
FCH47N60NF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 23A(Tc) TO-268
型号:
IXFQ23N60Q
仓库库存编号:
IXFQ23N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60L2
仓库库存编号:
IXTQ30N60L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 46A(Ta) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6046ANZC8
仓库库存编号:
R6046ANZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 45A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT43F60L
仓库库存编号:
APT43F60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK48N60P
仓库库存编号:
IXFK48N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 23A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXFT23N60Q
仓库库存编号:
IXFT23N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N60P
仓库库存编号:
IXFR48N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 36A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N60P
仓库库存编号:
IXFR64N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 540W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N60P3
仓库库存编号:
IXFR80N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC60
仓库库存编号:
IRFPC60-ND
别名:*IRFPC60
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 90A(Tc) 1100W(Tc) TO-264
型号:
IXFK90N60X
仓库库存编号:
IXFK90N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 77A(Tc) 481W(Tc) D3Pak
型号:
APT77N60SC6
仓库库存编号:
APT77N60SC6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N60Q
仓库库存编号:
IXFT30N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK26N60Q
仓库库存编号:
IXFK26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N60Q
仓库库存编号:
IXFT26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N60Q
仓库库存编号:
IXFR26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N60Q
仓库库存编号:
IXFH26N60Q-ND
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