以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP18N60X
  仓库库存编号：IXFP18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH26N60P
  仓库库存编号：IXTH26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH30N60X
  仓库库存编号：IXFH30N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA18N60X
  仓库库存编号：IXFA18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26N60P
  仓库库存编号：IXTQ26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 53A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60L
  仓库库存编号：AOK53S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60
  仓库库存编号：AOK53S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT15F60B
  仓库库存编号：APT15F60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N60P
  仓库库存编号：IXFT26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R080P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R080P7XKSA1-ND
  别名：SP001658398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 129W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R080P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R080P7XKSA1-ND
  别名：SP001647034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N60P
  仓库库存编号：IXTQ30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 129W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R080P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R080P7XKSA1-ND
  别名：SP001647040
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC19N60C5
  仓库库存编号：IXKC19N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH18N60X
  仓库库存编号：IXFH18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N60P
  仓库库存编号：IXFH30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC20N60C
  仓库库存编号：IXKC20N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH30N60C5
  仓库库存编号：IXKH30N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 379W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N60P
  仓库库存编号：IXFT30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW73N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW73N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW33N60E-GE3-ND
  别名：SIHW33N60E-GE3CT
  SIHW33N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH099N60E
  仓库库存编号：FCH099N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 
  
  无铅
• 搜索